先進のGaN技術が未来を切り拓く
先進的な電力システムでは、従来のシリコンデバイスが対応可能な範囲を超える広い電圧範囲と高速なスイッチング周波数をサポートしなければなりません。このような多様なアプリケーションにおいて、より高い効率とより大きな電力密度がますます求められています。 ワイドバンドギャップ半導体技術は、これらの高度な電力要件を満たすことに特に優れているため、急速に成長しています。
ルネサスは、低電圧・高電圧ディスクリート、双方向スイッチ、ドライバ、コントローラにより、GaN製品ラインアップの拡充を継続しています。 この幅広い製品を用いた包括的なアプリケーションカバレッジで、お客様を支援する能力を強化してまいります。 ルネサスのGaN技術は、単一コアプラットフォームの垂直統合モデルを基盤として構築されており、幅広いアプリケーションにおいて45Wから10kW超までの電力変換を実現します。 自社開発のウェハープロセスで製造され、競合するGaN製品と比較して損失と性能が25%向上しています。 エピタキシャル材料、デバイス構造、パッケージング、アプリケーションにまたがる1000件以上の特許へのアクセスにより、当社は差別化と顧客のイノベーションを推進し続けています。
自動車、インフラ、産業、再生可能エネルギー、および民生市場における需要の拡大に対応するため、当社は幅広いGaNディスクリート製品と、それを支える電源管理ソリューションを提供しています。 この製品群は、先進的なGaNデバイスと垂直統合されたウェーハ製造技術、業界をリードするコントローラおよびドライバICを組み合わせ、完全かつ高性能なパワーソリューションを提供します。
