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ルネサスには、自動車、産業、インフラ、民生市場向けにパワーMOSFETを提供してきた30年以上の専門知識があります。 NECと日立製作所の遺産を基に構築された当社の先進技術は、高性能と長期信頼性で定評があり、多様な市場ニーズを満たす幅広い電圧、パッケージ、保護オプションをサポートしています。

当社のポートフォリオは、従来のトレンチ技術、サーマルFET、革新的なREXFET™プラットフォームに及んでいます。 先進のスプリットゲート技術で設計されたREXFETパワーMOSFETは、より低いオン抵抗(RDS(on))と性能指数(figure-of-merit:FOM)を達成し、システム損失を低減し、要求の厳しいアプリケーションの電力密度を高めます。

長期信頼性

長期信頼性

250億個以上のMOSFETを出荷してきた当社のポートフォリオは、実証済みの信頼性を提供します。 JEDEC規格およびAEC-Q101の認定を受けた当社の車載用デバイスは、平均0.05DPPM未満という驚異的な性能を達成しています。

先進技術

先進技術

スプリットゲート技術は、オン抵抗を最小限に抑え、FOMを低減し、スイッチング性能を向上させます。 独自のサーマルFETデバイスは、熱による損傷を防ぐために過熱保護機能を内蔵しています。

汎用パッケージのオプション

汎用パッケージのオプション

ピン・ツー・ピン互換のコンパクトな高電流パッケージからウェハおよびベアダイのオプションまで、柔軟な設計で40V~150Vのニーズに対応します。 一部のデバイスは、はんだ付けの信頼性を向上させるウェッタブル・フランク・テクノロジーを採用しています。

製品ポートフォリオ

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REXFET技術

REXFET技術がスイッチング速度と効率を改善

先進のスプリットゲート技術により、前世代と比較してオン抵抗を低減し、FOMを30%低減することで、産業用、車載用、その他のアプリケーション向けに高速スイッチングと高効率性能を実現します。

Improved BLDC Motor Efficiency with REXFET MOSFETs

基盤技術

サポート

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サポートコミュニティ

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