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ルネサス エレクトロニクス株式会社 (Renesas Electronics Corporation)

ハーフブリッジFETドライバ

Renesas' half-bridge (h-bridge) drivers handle voltages up to 100V, with industry-leading gate rise and fall times and exceptional input-to-output propagation delay performance.

High Power Density & Efficiency

High Power Density & Efficiency

Provides high sink/source current capability and fast switching via low propagation delay, enabling efficient power delivery in a compact package.

Design Flexibility

Design Flexibility

Supports independent high‑side/low‑side control or PWM input, providing versatile drive options for Si and GaN MOSFET‑based power stages.

Bulit-In Protection

Bulit-In Protection

Integrated UVLO, anti‑shoot‑through, and thermal protection features ensure robust, reliable operation in demanding power environments.

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