特長
- アンチシュートスルー保護
- VDD電圧に関係なく、最大14Vまでの独立したハイサイドおよびローサイドのTTLロジック入力
- 3.3/5V CMOSロジックレベル互換入力段
- 高電圧用途向け100V PH定格電圧
- GaN/MOSFET向け2Aソース電流および5.3Aシンク電流のピーク駆動電流
- ターンオンとターンオフの速度を個別に調整
- 高速伝搬遅延（標準値19ns/17ns）
- 優れた伝搬遅延マッチング（標準値1.5ns）
- 4.5V～5.5Vバイアス電源（UVLO機構付き）
- 内蔵された入力・出力プルダウン抵抗器
- 標準値4.5ns立上がり時間、標準値2.7ns立下がり時間（負荷容量1nF時）
- 小型パッケージ：WLCSP12-2×2、FCQFN14-3×3
説明
RRP68150は5V電源駆動の高周波ハーフブリッジドライバーであり、エンハンスメントモードのGaN FETおよび低しきい値NチャネルMOSFET向けに最適化されています。 2Aのソース電流と5.3Aのシンク電流能力を提供し、最大100V DCのスイッチングノードをサポートします。 ドライバーのPWM入力は3.3V/5V CMOSロジックに対応し、VDD電源とは独立して最大14Vまで耐えられます。 ハイサイドバイアス電圧はブートストラップ技術を採用し、GaN FETの最大ゲートソース定格を超えないよう内部で5.4Vにクランプされます。 5Vの動作電源は、コントローラとの電力共有を簡素化します。
RRP6815xドライバーファミリーの一部として、RRP68150は関連製品間で一貫した設計と性能を維持しています。 アンチシュートスルー保護を統合しており、ハイサイドFETとローサイドFETの同時導通を防止し、動作を保護します。
パラメータ
| 属性 | 値 |
|---|---|
| Bootstrap Supply Voltage (Max) (V) | 104 |
| VBIAS (Max) (V) | 5.5 |
| Peak Pull-up Current (A) | 2 |
| Peak Pull-down Current (A) | 5.3 |
| Turn-On Prop Delay (ns) | 19 |
| Turn-Off Prop Delay (ns) | 17 |
| Rise Time (μs) | 4.5 |
| Fall Time | 2.7ns |
| Temp. Range (°C) | -40 to +125°C |
| Input Logic Level | 3.3/5V CMOS |
| Qualification Level | standard |
| Simulation Model Available | isim |
パッケージオプション
| Pkg. Type | Pkg. Dimensions (mm) | Lead Count (#) | Pitch (mm) |
|---|---|---|---|
| QFN | 3.0 x 3.0 x 0.75 | 14 | 0.5 |
| WLCSP-TKCURDL | 1.9 x 1.9 x 0.50 | 6 | 0.4 |
アプリケーション
- 通信/サーバー向けハーフブリッジおよびフルブリッジDC/DCコンバータ
- ハーフブリッジおよびフルブリッジのコンバータ
- 同期整流型降圧コンバータ
- パワーモジュール