特長
- VDSS = 80V
- 標準駆動電圧対応：VGS(th) = 2.0V ~ 4.0V
- 超低オン抵抗：RDS(on) = 3.1mΩ max.
- ID=140A
- 低入力容量
- 低熱抵抗
- 100%アバランシェテスト済み
- 鉛フリー鉛めっき：RoHS対応
- IPC/JEDEC J-STD-020によるモイスチャーレベル1
RBE056N08R1SZN6 Outline
説明
RBE031N08R1SZN6 NチャネルパワーMOSFETは、REXFET-1スプリットゲート技術を採用し、5x6 SO8-FLパッケージで提供されます。 SO8-FLパッケージは、超小型でリードレス設計を特徴とし、ウェッタブルフランクにより、熱性能の向上、信頼性の向上、組み立ての容易さを実現しています。
Renesasのスプリットゲートテクノロジーは、低RDS(on)とスイッチング能力を備え、高出力・高周波アプリケーションに最適です。
パラメータ
| 属性 | 値 |
|---|---|
| Qualification Level | Industrial |
| Nch/Pch | Nch |
| Channels (#) | 1 |
| Standard Pkg. Type | SO8-FL 5x6 BSC |
| Gate Level | Standard |
| VDSS (Max) (V) | 80 |
| ID (A) | 140 |
| RDS (ON) (Max) @10V (mohm) | 3.1 |
| Pch (W) | 140 |
| Ciss (Typical) (pF) | 5400 |
| Qg typ (nC) | 76 |
| Series Name | REXFET-1 |
パッケージオプション
| Pkg. Type | Pkg. Dimensions (mm) | Lead Count (#) |
|---|---|---|
| SO8-FL | 5.15 x 6.10 x 1.00 | 8 |
製品比較
| RBE031N08R1SZN6 | RBA140N08EANS-4UA03 | RBE024N08R1SZN6 | RBE056N08R1SZN6 | |
| VDSS (Max) (V) | 80 | 80 | 80 | 80 |
| RDS (ON) (Max) @10V (mohm) | 3.1 | 3.1 | 2.4 | 5.6 |
| ID (A) | 140 | 140 | 175 | 90 |
| Standard Pkg. Type | SO8-FL 5x6 BSC | SO8-FL 5x6 BSC | SO8-FL 5x6 BSC | SO8-FL 5x6 BSC |
| Qualification Level | Industrial | Automotive | Industrial | Industrial |
アプリケーション・ブロック図
 | ヒューマノイド用バッテリマネジメントシステム 安全なリアルタイムの電力管理、保護機能、およびバッテリ状態制御を実現する、ヒューマノイドロボット向け統合BMS。 |
その他アプリケーション
- モータ制御
- データセンター
- エネルギーインフラ
- 産業オートメーション
- DC/DC電源変換
- 電動工具
- ロボティクス
このデバイスに組み合わせたい製品
更に設計開発を進めるための製品を探してみましょう
| 型名 | 状態 | サンプル | 在庫 | RoHS | パッケージ | 参考価格（米ドル） | Lead Count (#) | Carrier Type | Moisture Sensitivity Level (MSL) | Pb (Lead) Free |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| RBE031N08R1SZN6#HB0 | Active | Available | 在庫切れ | RoHS:EN RoHS:JA | SO8-FL | 1ku | $0.659 | 8# | Embossed Tape | 1 | Yes |
このデバイスに組み合わせたい製品
更に設計開発を進めるための製品を探してみましょう
読込中
ログイン後、ご登録が可能となります。
- アプリケーションノート英語PDF 599 KB R07AN0052EJ0100 Rev.1.00 2026年5月27日REXFET PLECS models enable accurate simulation of power MOSFET behavior, including electrical and thermal characteristics. The model integrates channel and body diode behavior, supports configurable simulation parameters, and provides probe functions for switching, conduction, and temperature analysis. This application note outlines installation, library integration, model configuration, and usage considerations to optimize simulation results.関連ファイル：
- アプリケーションノート英語PDF 596 KB R07AN0051EJ0100 Rev.1.00 2026年4月27日Compares the thermal performance of automotive power MOSFETs in the TOLL (TO-Leadless) package and its derivatives, including the TOLT (TO-Leaded Top-side Cooling) package. The information presented in this document is intended to serve as a comprehensive guideline for designing high-power automotive systems.
- データシート英語RBE031N08R1SZN6 DatasheetRECOMMENDEDPDF 458 KB R07DS1653EJ0101 Rev.1.01 2026年4月16日The RBE031N08R1SZN6 N-channel power MOSFET features REXFET-1 split-gate technology and is available in an ultra-compact 5x6 SO8-FL package. This leadless package incorporates wettable flanks, enabling enhanced thermal performance, improved reliability, and simplified assembly. Renesas' split-gate technology is well-suited for applications that demand low RDS(on) and high switching performance in high-power, high-frequency environments.
- アプリケーションノート英語PDF 936 KB R07AN0050EJ0100 Rev.1.00 2025年12月03日Measurement frequency and the influence of parasitic inductance are crucial in capacitance measurements for Power MOSFETs. Split-gate structures, with their low Crss and higher Ciss, face challenges from parasitic inductance, making high-frequency measurements difficult. In contrast, standard-gate trench structures allow relatively accurate results. The influence of parasitic inductance in actual measurements is examined from various perspectives.
- ガイド英語PDF 988 KB R07ZZ0016EJ0100 Rev.1.00 2025年12月03日The diagrams in this document show the recommended mounting pad layout dimensions for Renesas Power MOSFETs. In actual PCB design, optimization should consider mounting density, mountability, dimensional tolerances, and other relevant factors.
- ホワイトペーパー英語PDF 4.45 MB R16WP0011EU0100 Rev.1.00 2025年11月04日High-power, high-efficiency systems such as electric motor drives and battery management systems continue to see rapid adoption and increasing power demands. To address these requirements, lower on-resistance and improved switching performance are needed. This paper presents an advanced split-gate trench process and next-generation MOSFETs with a 30% reduction in specific on-resistance to meet these needs.
- アプリケーションノート英語PDF 722 KB R07AN0040EJ0100 Rev.1.00 2024年11月13日AI生成コンテンツ: 48V automotive electrical systems enhance power capacity and efficiency by reducing current and cable size, enabling lighter and more compact vehicle designs. Renesas develops the REXFET-1 series MOSFETs with advanced wafer and package technologies, achieving ultra-low ON-resistance and high reliability for middle-voltage applications. The TOLL and TOLG packages optimize thermal performance, EMI behavior, and space, supporting up to 300A current. These MOSFETs meet automotive standards, improve switching efficiency, and reduce heat dissipation, facilitating the demands of electric and hybrid vehicles' powertrains and auxiliary systems.
- アプリケーションノート日本語AI生成コンテンツ: パワーMOSFETの並列接続では、素子間の電流バランスを確保することが重要である。導通時にはRDS(on)や配線抵抗の差が電流アンバランスを引き起こし、スイッチング時にはVGS(th)の差や寄生インダクタンスが影響する。同一ロットの素子を使用し、対称的な基板レイアウトを設計することで問題を軽減できる。アバランシェ動作は素子破壊の原因となるため避けるべきである。並列接続では寄生発振が起こりやすく、ゲート抵抗の追加で抑制可能である。適切な設計と素子選定が信頼性向上に寄与する。
- データシート英語RBE031N08R1SZN6 DatasheetRECOMMENDEDPDF 458 KB R07DS1653EJ0101 Rev.1.01 2026年4月16日The RBE031N08R1SZN6 N-channel power MOSFET features REXFET-1 split-gate technology and is available in an ultra-compact 5x6 SO8-FL package. This leadless package incorporates wettable flanks, enabling enhanced thermal performance, improved reliability, and simplified assembly. Renesas' split-gate technology is well-suited for applications that demand low RDS(on) and high switching performance in high-power, high-frequency environments.
- ホワイトペーパー英語PDF 4.45 MB R16WP0011EU0100 Rev.1.00 2025年11月04日High-power, high-efficiency systems such as electric motor drives and battery management systems continue to see rapid adoption and increasing power demands. To address these requirements, lower on-resistance and improved switching performance are needed. This paper presents an advanced split-gate trench process and next-generation MOSFETs with a 30% reduction in specific on-resistance to meet these needs.
推奨ドキュメント (2)
- データシート英語RBE031N08R1SZN6 DatasheetRECOMMENDEDPDF 458 KB R07DS1653EJ0101 Rev.1.01 2026年4月16日The RBE031N08R1SZN6 N-channel power MOSFET features REXFET-1 split-gate technology and is available in an ultra-compact 5x6 SO8-FL package. This leadless package incorporates wettable flanks, enabling enhanced thermal performance, improved reliability, and simplified assembly. Renesas' split-gate technology is well-suited for applications that demand low RDS(on) and high switching performance in high-power, high-frequency environments.
データシート (1)
- ガイド英語PDF 988 KB R07ZZ0016EJ0100 Rev.1.00 2025年12月03日The diagrams in this document show the recommended mounting pad layout dimensions for Renesas Power MOSFETs. In actual PCB design, optimization should consider mounting density, mountability, dimensional tolerances, and other relevant factors.
マニュアル、ガイド (2)
- アプリケーションノート英語PDF 599 KB R07AN0052EJ0100 Rev.1.00 2026年5月27日REXFET PLECS models enable accurate simulation of power MOSFET behavior, including electrical and thermal characteristics. The model integrates channel and body diode behavior, supports configurable simulation parameters, and provides probe functions for switching, conduction, and temperature analysis. This application note outlines installation, library integration, model configuration, and usage considerations to optimize simulation results.関連ファイル：
- アプリケーションノート英語PDF 596 KB R07AN0051EJ0100 Rev.1.00 2026年4月27日Compares the thermal performance of automotive power MOSFETs in the TOLL (TO-Leadless) package and its derivatives, including the TOLT (TO-Leaded Top-side Cooling) package. The information presented in this document is intended to serve as a comprehensive guideline for designing high-power automotive systems.
- アプリケーションノート英語PDF 936 KB R07AN0050EJ0100 Rev.1.00 2025年12月03日Measurement frequency and the influence of parasitic inductance are crucial in capacitance measurements for Power MOSFETs. Split-gate structures, with their low Crss and higher Ciss, face challenges from parasitic inductance, making high-frequency measurements difficult. In contrast, standard-gate trench structures allow relatively accurate results. The influence of parasitic inductance in actual measurements is examined from various perspectives.
- ホワイトペーパー英語PDF 4.45 MB R16WP0011EU0100 Rev.1.00 2025年11月04日High-power, high-efficiency systems such as electric motor drives and battery management systems continue to see rapid adoption and increasing power demands. To address these requirements, lower on-resistance and improved switching performance are needed. This paper presents an advanced split-gate trench process and next-generation MOSFETs with a 30% reduction in specific on-resistance to meet these needs.
アプリケーションノート、ホワイトペーパー (9)
No Results Found.
キーワードを見直してみましょう。
入力するワードを減らしてみたり、異なるワード、あるいはより一般的なワードを入力してみましょう。
入力するワードを減らしてみたり、異なるワード、あるいはより一般的なワードを入力してみましょう。
フィルターを確認してみましょう。
フィルターを適用している場合、フィルターの範囲を見直してみてより広く検索結果が反映される様にしてみましょう。
フィルターを適用している場合、フィルターの範囲を見直してみてより広く検索結果が反映される様にしてみましょう。
お困りの場合は
- ナレッジベースを検索してみましょう。FAQにより、お客様をサポートいたします。
- ルネサスの技術スタッフやコミュニティからのヘルプをサポートフォーラムから受けられます。
No Results Found.
キーワードを見直してみましょう。
入力するワードを減らしてみたり、異なるワード、あるいはより一般的なワードを入力してみましょう。
入力するワードを減らしてみたり、異なるワード、あるいはより一般的なワードを入力してみましょう。
フィルターを確認してみましょう。
フィルターを適用している場合、フィルターの範囲を見直してみてより広く検索結果が反映される様にしてみましょう。
フィルターを適用している場合、フィルターの範囲を見直してみてより広く検索結果が反映される様にしてみましょう。
お困りの場合は
- ナレッジベースを検索してみましょう。FAQにより、お客様をサポートいたします。
- ルネサスの技術スタッフやコミュニティからのヘルプをサポートフォーラムから受けられます。
No Results Found.
キーワードを見直してみましょう。
入力するワードを減らしてみたり、異なるワード、あるいはより一般的なワードを入力してみましょう。
入力するワードを減らしてみたり、異なるワード、あるいはより一般的なワードを入力してみましょう。
フィルターを確認してみましょう。
フィルターを適用している場合、フィルターの範囲を見直してみてより広く検索結果が反映される様にしてみましょう。
フィルターを適用している場合、フィルターの範囲を見直してみてより広く検索結果が反映される様にしてみましょう。
お困りの場合は
- ナレッジベースを検索してみましょう。FAQにより、お客様をサポートいたします。
- ルネサスの技術スタッフやコミュニティからのヘルプをサポートフォーラムから受けられます。
No Results Found.
キーワードを見直してみましょう。
入力するワードを減らしてみたり、異なるワード、あるいはより一般的なワードを入力してみましょう。
入力するワードを減らしてみたり、異なるワード、あるいはより一般的なワードを入力してみましょう。
フィルターを確認してみましょう。
フィルターを適用している場合、フィルターの範囲を見直してみてより広く検索結果が反映される様にしてみましょう。
フィルターを適用している場合、フィルターの範囲を見直してみてより広く検索結果が反映される様にしてみましょう。
お困りの場合は
- ナレッジベースを検索してみましょう。FAQにより、お客様をサポートいたします。
- ルネサスの技術スタッフやコミュニティからのヘルプをサポートフォーラムから受けられます。
No Results Found.
キーワードを見直してみましょう。
入力するワードを減らしてみたり、異なるワード、あるいはより一般的なワードを入力してみましょう。
入力するワードを減らしてみたり、異なるワード、あるいはより一般的なワードを入力してみましょう。
フィルターを確認してみましょう。
フィルターを適用している場合、フィルターの範囲を見直してみてより広く検索結果が反映される様にしてみましょう。
フィルターを適用している場合、フィルターの範囲を見直してみてより広く検索結果が反映される様にしてみましょう。
お困りの場合は
- ナレッジベースを検索してみましょう。FAQにより、お客様をサポートいたします。
- ルネサスの技術スタッフやコミュニティからのヘルプをサポートフォーラムから受けられます。
品質／信頼性 (1)
No Results Found.
キーワードを見直してみましょう。
入力するワードを減らしてみたり、異なるワード、あるいはより一般的なワードを入力してみましょう。
入力するワードを減らしてみたり、異なるワード、あるいはより一般的なワードを入力してみましょう。
フィルターを確認してみましょう。
フィルターを適用している場合、フィルターの範囲を見直してみてより広く検索結果が反映される様にしてみましょう。
フィルターを適用している場合、フィルターの範囲を見直してみてより広く検索結果が反映される様にしてみましょう。
お困りの場合は
- ナレッジベースを検索してみましょう。FAQにより、お客様をサポートいたします。
- ルネサスの技術スタッフやコミュニティからのヘルプをサポートフォーラムから受けられます。
マーケティング資料 (3)
No Results Found.
キーワードを見直してみましょう。
入力するワードを減らしてみたり、異なるワード、あるいはより一般的なワードを入力してみましょう。
入力するワードを減らしてみたり、異なるワード、あるいはより一般的なワードを入力してみましょう。
フィルターを確認してみましょう。
フィルターを適用している場合、フィルターの範囲を見直してみてより広く検索結果が反映される様にしてみましょう。
フィルターを適用している場合、フィルターの範囲を見直してみてより広く検索結果が反映される様にしてみましょう。
お困りの場合は
- ナレッジベースを検索してみましょう。FAQにより、お客様をサポートいたします。
- ルネサスの技術スタッフやコミュニティからのヘルプをサポートフォーラムから受けられます。
No Results Found.
キーワードを見直してみましょう。
入力するワードを減らしてみたり、異なるワード、あるいはより一般的なワードを入力してみましょう。
入力するワードを減らしてみたり、異なるワード、あるいはより一般的なワードを入力してみましょう。
フィルターを確認してみましょう。
フィルターを適用している場合、フィルターの範囲を見直してみてより広く検索結果が反映される様にしてみましょう。
フィルターを適用している場合、フィルターの範囲を見直してみてより広く検索結果が反映される様にしてみましょう。
お困りの場合は
- ナレッジベースを検索してみましょう。FAQにより、お客様をサポートいたします。
- ルネサスの技術スタッフやコミュニティからのヘルプをサポートフォーラムから受けられます。
No Results Found.
キーワードを見直してみましょう。
入力するワードを減らしてみたり、異なるワード、あるいはより一般的なワードを入力してみましょう。
入力するワードを減らしてみたり、異なるワード、あるいはより一般的なワードを入力してみましょう。
フィルターを確認してみましょう。
フィルターを適用している場合、フィルターの範囲を見直してみてより広く検索結果が反映される様にしてみましょう。
フィルターを適用している場合、フィルターの範囲を見直してみてより広く検索結果が反映される様にしてみましょう。
お困りの場合は
- ナレッジベースを検索してみましょう。FAQにより、お客様をサポートいたします。
- ルネサスの技術スタッフやコミュニティからのヘルプをサポートフォーラムから受けられます。
読込中
フィルター
適用されたフィルター
ソフトウェア／ツール
タイプでの検索
プロバイダでの検索
サンプルコード
アプリケーションでの検索
ファンクションでの検索
コンパイラでの検索
IDE に関するフィルタリング
シミュレーションモデル
Partner Solutions
No Results Found.
キーワードを見直してみましょう。
入力するワードを減らしてみたり、異なるワード、あるいはより一般的なワードを入力してみましょう。
入力するワードを減らしてみたり、異なるワード、あるいはより一般的なワードを入力してみましょう。
フィルターを確認してみましょう。
フィルターを適用している場合、フィルターの範囲を見直してみてより広く検索結果が反映される様にしてみましょう。
フィルターを適用している場合、フィルターの範囲を見直してみてより広く検索結果が反映される様にしてみましょう。
お困りの場合は
- ナレッジベースを検索してみましょう。FAQにより、お客様をサポートいたします。
- ルネサスの技術スタッフやコミュニティからのヘルプをサポートフォーラムから受けられます。
No Results Found.
キーワードを見直してみましょう。
入力するワードを減らしてみたり、異なるワード、あるいはより一般的なワードを入力してみましょう。
入力するワードを減らしてみたり、異なるワード、あるいはより一般的なワードを入力してみましょう。
フィルターを確認してみましょう。
フィルターを適用している場合、フィルターの範囲を見直してみてより広く検索結果が反映される様にしてみましょう。
フィルターを適用している場合、フィルターの範囲を見直してみてより広く検索結果が反映される様にしてみましょう。
お困りの場合は
- ナレッジベースを検索してみましょう。FAQにより、お客様をサポートいたします。
- ルネサスの技術スタッフやコミュニティからのヘルプをサポートフォーラムから受けられます。
サンプルコード (1)
シミュレーションモデル (2)
No Results Found.
キーワードを見直してみましょう。
入力するワードを減らしてみたり、異なるワード、あるいはより一般的なワードを入力してみましょう。
入力するワードを減らしてみたり、異なるワード、あるいはより一般的なワードを入力してみましょう。
フィルターを確認してみましょう。
フィルターを適用している場合、フィルターの範囲を見直してみてより広く検索結果が反映される様にしてみましょう。
フィルターを適用している場合、フィルターの範囲を見直してみてより広く検索結果が反映される様にしてみましょう。
お困りの場合は
- ナレッジベースを検索してみましょう。FAQにより、お客様をサポートいたします。
- ルネサスの技術スタッフやコミュニティからのヘルプをサポートフォーラムから受けられます。
