特長
- VDSS = 80V
- 標準駆動電圧対応：VGS(th) = 2.0V ~ 4.0V
- 超低オン抵抗：RDS(on) = 3.1mΩ max.
- ID=140A
- 低入力容量
- 低熱抵抗
- 100%アバランシェテスト済み
- 鉛フリー鉛めっき：RoHS対応
- IPC/JEDEC J-STD-020によるモイスチャーレベル1
説明
RBE031N08R1SZN6 NチャネルパワーMOSFETは、REXFET-1スプリットゲート技術を採用し、5x6 SO8-FLパッケージで提供されます。 SO8-FLパッケージは、超小型でリードレス設計を特徴とし、ウェッタブルフランクにより、熱性能の向上、信頼性の向上、組み立ての容易さを実現しています。
Renesasのスプリットゲートテクノロジーは、低RDS(on)とスイッチング能力を備え、高出力・高周波アプリケーションに最適です。
パラメータ
| 属性 | 値 |
|---|---|
| Qualification Level | Industrial |
| Nch/Pch | Nch |
| Channels (#) | 1 |
| Standard Pkg. Type | SO8-FL 5x6 BSC |
| Gate Level | Standard |
| VDSS (Max) (V) | 80 |
| ID (A) | 140 |
| RDS (ON) (Max) @10V (mohm) | 3.1 |
| Pch (W) | 140 |
| Ciss (Typical) (pF) | 5400 |
| Qg typ (nC) | 76 |
| Series Name | REXFET-1 |
パッケージオプション
| Pkg. Type | Pkg. Dimensions (mm) | Lead Count (#) |
|---|---|---|
| SO8-FL | 5.15 x 6.10 x 1.00 | 8 |
製品比較
 | | | | |
| RBE031N08R1SZN6 | RBA140N08EANS-4UA03 | RBE024N08R1SZN6 | RBE056N08R1SZN6 | |
| VDSS (Max) (V) | 80 | 80 | 80 | 80 |
| RDS (ON) (Max) @10V (mohm) | 3.1 | 3.1 | 2.4 | 5.6 |
| ID (A) | 140 | 140 | 175 | 90 |
| Standard Pkg. Type | SO8-FL 5x6 BSC | SO8-FL 5x6 BSC | SO8-FL 5x6 BSC | SO8-FL 5x6 BSC |
| Qualification Level | Industrial | Automotive | Industrial | Industrial |
アプリケーション・ブロック図
 | ヒューマノイド用バッテリマネジメントシステム 安全なリアルタイムの電力管理、保護機能、およびバッテリ状態制御を実現する、ヒューマノイドロボット向け統合BMS。 |
その他アプリケーション
- モータ制御
- データセンター
- エネルギーインフラ
- 産業オートメーション
- DC/DC電源変換
- 電動工具
- ロボティクス