メインコンテンツに移動

特長

  • VDSS = 80V
  • 標準駆動電圧対応 :VGS(th) = 2.0V〜4.0V
  • 超低オン抵抗:RDS(on) = 3.1mΩ 以下
  • ID=140A
  • 低入力容量
  • 低熱抵抗
  • AEC-Q101 準拠
  • 生産部品承認プロセス(PPAP)対応可能
  • 鉛フリー鉛めっき:RoHS対応
  • IPC/JEDEC J-STD-020によるモイスチャーレベル1

説明

RBA140N08EANS-4UA03 NチャネルパワーMOSFETは、REXFET-1スプリットゲート技術を採用し、5x6 SO8-FLパッケージで提供されます。 SO8-FLパッケージは、超小型でリードレス設計を特徴とし、ウェッタブルフランクにより、熱性能の向上、信頼性の向上、組み立ての容易さを実現しています。

Renesasのスプリットゲートテクノロジーは、低RDS(on)とスイッチング能力を備え、高出力・高周波アプリケーションに最適です。

パラメータ

属性
Qualification Level Automotive
Nch/Pch Nch
Channels (#) 1
Standard Pkg. Type SO8-FL 5x6 BSC
VDSS (Max) (V) 80
ID (A) 140
RDS (ON) (Max) @10V or 8V (mohm) 3.1
Pch (W) 140
Ciss (Typical) (pF) 5600
Qg typ (nC) 88
Series Name REXFET-1

パッケージオプション

Pkg. Type Pkg. Dimensions (mm) Lead Count (#)
SO8-FL 4.90 x 6.10 x 1.00 8

アプリケーション

  • DC/DCオンボード充電
  • ゾーンECU
  • モータ制御
  • バッテリマネジメントシステム
  • ファン
  • ポンプ
  • パワーシート
  • サンルーフ
  • 電動パワーステアリング
  • 電動パーキングブレーキ
  • 電動コンプレッサ
  • スイッチ
  • LED照明

適用されたフィルター

ニュース&ブログ

ブログ
2025年10月29日
REXFET MOSFETでRDS(on)を低減