特長
- 標準レベルのゲート駆動電圧:VGS(th)= 2.0V〜4.0V
- 超低オン抵抗:RDS(on)=0.65mΩ(max)
- 低入力容量
- 車載アプリケーション向けに設計され、AEC-Q101(HTRB、HTGB)認定済み
RBA500N10EHWT-2UA01 Chip Dimensions & Circuit
説明
スプリットゲート構造を持つREXFET-1 100V製品は、超低オン抵抗を特長としています。加えて、入力容量、及びゲート電荷を低減し、より効率的なスイッチングを可能にします。この技術により、高速スイッチングと低電力損失を実現できるため、電力効率が向上します。さらに、耐久性と信頼性を向上させ、パワーマネジメントシステム、モータドライブ、DC-DCコンバータなどの車載アプリケーションに適しています。
パラメータ
| 属性 | 値 |
|---|---|
| Qualification Level | Automotive |
| Nch/Pch | Nch |
| Channels (#) | 1 |
| Standard Pkg. Type | Bare die |
| Gate Level | Standard |
| VDSS (Max) (V) | 100 |
| ID (A) | 500 |
| Ciss (Typical) (pF) | 34000 |
| Qg typ (nC) | 450 |
| Series Name | REXFET-1 |
パッケージオプション
| Pkg. Type |
|---|
| Bare |
アプリケーション・ブロック図
 | 3相RISC-Vモータコントローラ 事前にプログラムされた32ビットRISC-V ASSPを備えた3相モータコントローラ。 |
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| 型名 | 状態 | サンプル | 在庫 | RoHS | パッケージ | Standard Pkg. Type | Carrier Type |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| RBA500N10EHWT-2UA01#GFH | Active | Available | 在庫切れ | RoHS:EN RoHS:JA | Bare | Bare die | Embossed Tape |
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- ガイド英語PDF 988 KB R07ZZ0016EJ0100 Rev.1.00 2025年12月03日The diagrams in this document show the recommended mounting pad layout dimensions for Renesas Power MOSFETs. In actual PCB design, optimization should consider mounting density, mountability, dimensional tolerances, and other relevant factors.
- ホワイトペーパー英語PDF 4.45 MB R16WP0011EU0100 Rev.1.00 2025年11月04日High-power, high-efficiency systems such as electric motor drives and battery management systems continue to see rapid adoption and increasing power demands. To address these requirements, lower on-resistance and improved switching performance are needed. This paper presents an advanced split-gate trench process and next-generation MOSFETs with a 30% reduction in specific on-resistance to meet these needs.
- アプリケーションノート日本語ルネサスは、パワーディスクリートベアダイ製品の信頼性フレームワークを提示し、品質保証レベル(KGD、KTD、PD)とそれぞれのテストプロトコルを詳細に示しています。このフレームワークは、組み立て、保管、取り扱いなどの外部要因が信頼性にどのような影響を与えるかを強調しています。お客様は、実際の使用条件下で性能を検証することをお勧めします。
- 製品別信頼性資料英語PDF 432 KB APR-25-H0111 2025年6月20日
- アプリケーションノート英語PDF 722 KB R07AN0040EJ0100 Rev.1.00 2024年11月13日AI生成コンテンツ: 48V automotive electrical systems enhance power capacity and efficiency by reducing current and cable size, enabling lighter and more compact vehicle designs. Renesas develops the REXFET-1 series MOSFETs with advanced wafer and package technologies, achieving ultra-low ON-resistance and high reliability for middle-voltage applications. The TOLL and TOLG packages optimize thermal performance, EMI behavior, and space, supporting up to 300A current. These MOSFETs meet automotive standards, improve switching efficiency, and reduce heat dissipation, facilitating the demands of electric and hybrid vehicles' powertrains and auxiliary systems.
- アプリケーションノート日本語AI生成コンテンツ: 本資料は、MOSFETの絶対最大定格および電気的特性を25℃で説明しています。ドレイン・ソース電圧、ゲート・ソース電圧、ドレイン電流、アバランシェエネルギーなどの主要パラメータを定義し、これらの範囲内での使用を強調しています。電気的特性では、破壊電圧、しきい値電圧、オン抵抗、スイッチング時間などを詳細に解説しています。また、ケース温度に伴う許容チャネル損失と、安全動作領域（SOA）の5つの制限要因についても説明しています。
- アプリケーションノート日本語AI生成コンテンツ: この部分では、半導体デバイスのパッケージ選定について説明し、金属・セラミック・低融点ガラスの気密封止形とプラスチック封止形に分類しています。プラスチック封止形は信頼性が向上し、自動車や電子機器で広く使われています。面実装パッケージは小型・薄型・高密度実装が可能です。機械的取り扱いではリード成形や切断、プリント基板実装時の応力防止が重要です。ハンダ付けは低温短時間で行い、ロジン系フラックスと適切なアース付きこての使用を推奨しています。
推奨ドキュメント (1)
データシート (1)
- ガイド英語PDF 988 KB R07ZZ0016EJ0100 Rev.1.00 2025年12月03日The diagrams in this document show the recommended mounting pad layout dimensions for Renesas Power MOSFETs. In actual PCB design, optimization should consider mounting density, mountability, dimensional tolerances, and other relevant factors.
マニュアル、ガイド (2)
- アプリケーションノート英語PDF 599 KB R07AN0052EJ0100 Rev.1.00 2026年5月27日REXFET PLECS models enable accurate simulation of power MOSFET behavior, including electrical and thermal characteristics. The model integrates channel and body diode behavior, supports configurable simulation parameters, and provides probe functions for switching, conduction, and temperature analysis. This application note outlines installation, library integration, model configuration, and usage considerations to optimize simulation results.関連ファイル：
- アプリケーションノート英語PDF 596 KB R07AN0051EJ0100 Rev.1.00 2026年4月27日Compares the thermal performance of automotive power MOSFETs in the TOLL (TO-Leadless) package and its derivatives, including the TOLT (TO-Leaded Top-side Cooling) package. The information presented in this document is intended to serve as a comprehensive guideline for designing high-power automotive systems.
- アプリケーションノート英語PDF 936 KB R07AN0050EJ0100 Rev.1.00 2025年12月03日Measurement frequency and the influence of parasitic inductance are crucial in capacitance measurements for Power MOSFETs. Split-gate structures, with their low Crss and higher Ciss, face challenges from parasitic inductance, making high-frequency measurements difficult. In contrast, standard-gate trench structures allow relatively accurate results. The influence of parasitic inductance in actual measurements is examined from various perspectives.
- ホワイトペーパー英語PDF 4.45 MB R16WP0011EU0100 Rev.1.00 2025年11月04日High-power, high-efficiency systems such as electric motor drives and battery management systems continue to see rapid adoption and increasing power demands. To address these requirements, lower on-resistance and improved switching performance are needed. This paper presents an advanced split-gate trench process and next-generation MOSFETs with a 30% reduction in specific on-resistance to meet these needs.
- アプリケーションノート日本語ルネサスは、パワーディスクリートベアダイ製品の信頼性フレームワークを提示し、品質保証レベル(KGD、KTD、PD)とそれぞれのテストプロトコルを詳細に示しています。このフレームワークは、組み立て、保管、取り扱いなどの外部要因が信頼性にどのような影響を与えるかを強調しています。お客様は、実際の使用条件下で性能を検証することをお勧めします。もっと見る (8)
アプリケーションノート、ホワイトペーパー (8)
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Jeff demonstrates how Renesas' REXFET MOSFETs, with low on-resistance and fast switching performance, enable more efficient BLDC motor operation in industrial and automotive applications.
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2025年10月29日
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