特長
- 瞬時同相除去電圧が高い（CMH, CML = ±15 kV/µs MIN.）
- 8 ピン DIP に比べ実装面積約 50%削減
- 沿面距離が長い（8 mm MIN.：PS9313L2）
- 応答速度が速い（tPHL = 500 ns MAX., tPLH = 750 ns MAX.）
- 伝達遅延ばらつきが小さい（tPLH – tPHL = 220 ns TYP.）
- パルス幅ひずみが小さい（|tPHL – tPLH| = 220 ns TYP.）
- 入出力間絶縁耐圧が高い（BV = 5 000 Vr.m.s.）
- オープン・コレクタ出力
- 鉛フリー対応品
- 海外安全規格
UL 認定品：No. E72422
CSA 認定品：No. CA 101391 (CA5A, CAN/CSA-C22.2 60065, 60950)
SEMKO 認定品 (EN 60065, EN 60950)
DIN EN60747-5-5 (VDE0884-5):2011-11 認定品：No. 40024069 (オプション対応いたします)
説明
新規ご採用につきましては推奨いたしません。
PS9308L, PS9308L2 は，入力側に GaAlAs 発光ダイオードを使用し，出力側にフォトダイオード，信号処理回路，高速大電流回路を同一チップ上に構成した受光 IC を用いた高速フォトカプラです。 PS9308L, PS9308L2 は既存の 8 ピン DIP に比べ，実装面積が約 50%減少となる 6 ピン SDIP パッケージを採用しています。 高耐ノイズ (高 CMR)，高速スイッチングを実現し，IGBT およびパワーMOS FET のゲート駆動用に最適です。 PS9308L は，表面実装用リード・フォーミング品です。 PS9308L2 は，長沿面表面実装用リード・フォーミング品です。
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