評価ボードおよびキット
耐放射線ローサイドGaN FETドライバおよびGaN FET
ISL73040SEHEV4Z評価ボードは、ISL73040SEHローサイドGaNドライバとISL73024SEH 200V GaN FETを使用してハーフブリッジパワーステージを構築する方法を示します。ISL73040SEHは、4.5Vゲートドライブ電圧(VDRV)で動作します。これはゲート電圧が、ISL73024SEHを構成するGaN FETの最大ゲートソース定格を超えることを防止する、内部レギュレータを使用して生成されます。ISL73024SEHは、7.5Aのドレイン電流に対応する200V GaN FETです。
Radiation Hardened ISL7x040SEH GaN FET Driver & ISL7x023SEH GaN Power Transistor Evaluation Platform (100V GaN FET)
The ISL70040SEHEV2Z evaluation platform is used to evaluate the ISL70040SEH radiation hardened low-side Gallium Nitride (GaN) FET driver alongside the ISL70023SEH N-channel enhancement mode GaN power transistor. The same board can be used to evaluate the ISL73040SEH radiation hardened low-side... 続きを読む
Radiation Hardened ISL70040SEH GaN FET Driver & ISL7002xSEH GaN Power Transistor Evaluation Platform (200V GaN FET)
The ISL70040SEHEV3Z evaluation platform is designed to evaluate the ISL70040SEH radiation hardened low-side Gallium Nitride (GaN) FET driver alongside the ISL70023SEH and ISL70024SEH enhancement mode GaN power transistors.
The ISL70040SEH is designed to drive enhancement mode GaN FETs in isolated... 続きを読む
Evaluation Board for the ISL70040SEH and ISL70020SEH (40V GaN FET)
The ISL70040SEHEV5Z evaluation platform is designed to evaluate the ISL70040SEH alongside the ISL70020SEH. The ISL70040SEH is designed to drive enhancement mode Gallium Nitride (GaN) FETs in isolated topologies and boost type configurations. The board operates across a supply range of 4.5V to... 続きを読む