パッケージ情報
| CADモデル: | View CAD Model |
| Pkg. Type: | PQFN56 |
| Pkg. Code: | |
| Lead Count (#): | |
| Pkg. Dimensions (mm): | 5 x 6 |
| Pitch (mm): |
環境及び輸出分類情報
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 3 |
| ECCN (US) | EAR99 |
| HTS (US) | 8541.29.0095 |
| Pb (Lead) Free |
製品スペック
| Pkg. Type | PQFN56 |
| Carrier Type | Tape & Reel |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 3 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Temp. Range (°C) | -55 to +150°C |
| Country of Assembly | CHINA |
| Country of Wafer Fabrication | JAPAN |
| Blocking Capability | Uni-Directional Switch |
| Ciss (Typical) (pF) | 465 |
| Coss (Typical) (pF) | 8 |
| FET Type | N-Channel |
| Id max @ 25°C (A) | 5 |
| Pkg. Dimensions (mm) | 5 x 6 |
| Price (USD) | $0.7114 |
| Qg typ (nC) | 5.2 |
| Qoss (nC) | 9.2 |
| Qrr typ (nC) | 5.2 |
| Qualification Level | Standard |
| RDSON (Typ) (mΩ) | 480 |
| RDSON (max) (mΩ) | 560 |
| Ron * Qoss (FOM) | 4416 |
| V(TR)DSS max (V) | 800 |
| Vds min (V) | 700 |
| Vth typ (V) | 2 |
| trr (Typical) (nS) | 27.6 |
TP70H480G4JSGB に関するリソース
説明
TP70H480G4JSGB 700V 480mΩ窒化ガリウム(GaN)FETは、5x6 PQFN業界標準パッケージに収められており、ルネサスのGen IV SuperGaN® 技術によるノーマリオフデバイスです。 高電圧GaN HEMTと最適化された低電圧シリコンMOSFETを接続し、2kVを超えるHBM ESD定格を誇り、優れた性能、標準的なドライブ回路との互換性により設計の容易さ、および高信頼性を実現します。
ルネサスのGen IV SuperGaN プラットフォームは、高度なエピタキシャルおよび特許取得済みの設計技術を使用しており、シリコンと比較して効率を向上させながらシステムの小型軽量化に寄与します。 これらの効果は、ゲート電荷の低減、出力容量の低減、クロスオーバー損失の最小化、および逆回復電荷の減少によって達成されます。