特長
- 480mΩ、700V GaNデバイス
- JEDEC認定のGaN技術
- ダイナミックRDS(on)eff テスト済み
- ロバスト設計、以下によって定義されます。
- 800Vの過渡過電圧能力
- ツェナーダイオードによるゲート過電圧保護なしに標準的なゲートドライバでの駆動が可能
- 非常に小さなQRR
- クロスオーバー損失の低減
- ハードスイッチ回路とソフトスイッチ回路の両方で効率を向上
- 電力密度の向上
- システムのサイズと重量の低減
- 全体的なシステムコストの削減
説明
TP70H480G4JSGB 700V 480mΩ窒化ガリウム(GaN)FETは、5x6 PQFN業界標準パッケージに収められており、ルネサスのGen IV SuperGaN® 技術によるノーマリオフデバイスです。 高電圧GaN HEMTと最適化された低電圧シリコンMOSFETを接続し、2kVを超えるHBM ESD定格を誇り、優れた性能、標準的なドライブ回路との互換性により設計の容易さ、および高信頼性を実現します。
ルネサスのGen IV SuperGaN プラットフォームは、高度なエピタキシャルおよび特許取得済みの設計技術を使用しており、シリコンと比較して効率を向上させながらシステムの小型軽量化に寄与します。 これらの効果は、ゲート電荷の低減、出力容量の低減、クロスオーバー損失の最小化、および逆回復電荷の減少によって達成されます。
パラメータ
| 属性 | 値 |
|---|---|
| Qualification Level | Standard |
| Vds min (V) | 700 |
| V(TR)DSS max (V) | 800 |
| RDSON (Typ) (mΩ) | 480 |
| RDSON (max) (mΩ) | 560 |
| Vth typ (V) | 2 |
| Id max @ 25°C (A) | 5 |
| Qrr typ (nC) | 5.2 |
| Qg typ (nC) | 5.2 |
| Qoss (nC) | 9.2 |
| Ron * Qoss (FOM) | 4416 |
| Ciss (Typical) (pF) | 465 |
| Coss (Typical) (pF) | 8 |
| trr (Typical) (nS) | 27.6 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Temp. Range (°C) | -55 to +150°C |
パッケージオプション
| Pkg. Type | Pkg. Dimensions (mm) |
|---|---|
| PQFN56 | 5 x 6 |
アプリケーション
- 民生
- ACアダプタ
- 低消費電力SMPS
- 照明機器
- POE電源