プロダクトセレクタ: 耐放射線強化 GaN FET

型名

説明

ブロック図

状態

在庫

サンプル

Rating

VDS (V)

IDS (A)

VGS(TH) (Max) (V)

VGS (Max) (V)

RDSON (Typ) (mΩ)

Qg typ (nC)

Thermal Resistance θJC (°C/W)

Temp. Range (°C)

TID HDR (krad(Si))

TID LDR (krad(Si))

DSEE (MeV·cm2/mg)

Flow

Qualification Level

Die Sale Availability?

PROTO Availability?

Pkg. Type

Lead Count (#)

40V, 65A Enhancement-Mode GaN Power Transistor

サンプル入手可能

Space

2.5

3.5

3.1

-55 to +125°C

100

RH Hermetic

Class Ve, EM

Yes

CLCC, DIE, PFL

100V, 60A Enhancement Mode GaN Power Transistor

サンプル入手可能

Space

100

2.5

3.1

-55 to +125°C

100

RH Hermetic

Class Ve, EM

Yes

CLCC, DIE

200V, 7.5A Enhancement Mode GaN Power Transistor

サンプル入手可能

Space

200

7.5

2.5

18.7

-55 to +125°C

100

RH Hermetic

Class Ve, EM

Yes

CLCC, DIE, PFL

40V, 65A Enhancement Mode GaN Power Transistor

サンプル入手可能

Space

2.5

3.5

3.1

-55 to +125°C

—

RH Hermetic

Class Ve, EM

Yes

CLCC, DIE

100V, 60A Enhancement Mode GaN Power Transistor

サンプル入手可能

Space

100

2.5

3.1

-55 to +125°C

100

RH Hermetic

Class Ve, EM

Yes

CLCC, DIE, PFL

200V, 7.5A Enhancement Mode GaN Power Transistors

サンプル入手可能

Space

200

7.5

2.5

18.7

-55 to +125°C

—

RH Hermetic

Class Ve, EM

Yes

CLCC, DIE, PFL

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プロダクトセレクタ: 耐放射線強化 GaN FET

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