概要
ルネサスの高信頼性ディスクリートデバイスは、放射線耐性と高効率を備え、ミッションクリティカルな宇宙および高信頼性アプリケーション向けに最適な電力スイッチングソリューションを提供します。 ルネサスの製品ラインアップには、ディスクリートGaN FETとGaNベースのパワーステージを揃えています。これらは電力変換、モータ制御、高速スイッチングアプリケーション向けに、高効率、高速スイッチング性能、高電力密度を実現します。 SEEおよびTID耐性を備えたこれらのGaNソリューションは、小型・軽量・高効率な電源設計を可能にし、過酷な宇宙・防衛環境においても高い信頼性を発揮します。
製造と試験に関する情報
ルネサスは、衛星通信や宇宙飛行システムなど幅広い分野で、高信頼・高効率・高精度なスペースグレード製品を提供してきた卓越した実績を誇ります。
トータルドーズ効果（TID）は、宇宙アプリケーションで使用される半導体において重要な課題のひとつです。 私たちは、すべての宇宙用製品に放射線ロット受け入れ試験（RLAT）を実施することで、この問題に対処しています。 耐放射線強化製品については、ウエハごとに低線量率および／または高線量率RLAT（放射線寿命加速試験）を実施します。 耐放射線強化製品については、ウェハのロットごとに低線量率RLATを実施します。 ルネサスの宇宙向け製品は、重イオンの影響を受けても動作への影響を最小限に抑えつつ、シングルイベント効果（SEE）を低減するよう設計されています。SEEには、シングルイベント過渡現象（SET）、書き換え（SEU）、および破壊的事象であるバーンアウトやラッチアップ（SEB/L）が含まれます。
ルネサスの放射線耐性ハーメチックおよびプラスチック製品は、MIL-PRF-38535/QMLに準拠した生産工程で製造され、最高の信頼性を確保するために100%バーンイン処理が実施されています。 ルネサスは、自動車向け生産工程に準じたフローで放射線耐性を備えた宇宙用プラスチック製品を製造し、新しい宇宙用途向けに堅牢かつコスト効率の高いソリューションを提供しています。 最新技術を駆使したQML Class V/P/Q、および耐放射線特性を備えた宇宙用プラスチック製品は、高信頼性および宇宙市場に革命をもたらしています。