| CADモデル: | View CAD Model |
| Pkg. Type: | SOIC-14 |
| Pkg. Code: | GS0014AB |
| Lead Count (#): | 14 |
| Pkg. Dimensions (mm): | 8.75 x 6.20 x 1.75 |
| Pitch (mm): | 1.27 |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 |
| Pb (Lead) Free | Yes |
| RoHS (RRW40120-002) | 英語日本語 |
| ECCN (US) | |
| HTS (US) |
| Lead Count (#) | 14 |
| Carrier Type | Tape & Reel |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 |
| Pitch (mm) | 1.27 |
| Pkg. Dimensions (mm) | 8.75 x 6.20 x 1.75 |
| Pb (Lead) Free | Yes |
| Temp. Range (°C) | -40 to +125°C |
| Application | RapidChargingTM AC/DC adapters, TV power, Power tools, SSL applications, Motor drive |
| Bootstrap Supply Voltage (Max) (V) | 600 |
| Charge Pump | Yes |
| Compatible Primary-Side IC | RRW11011 |
| Fall Time | 10 |
| Function | High Voltage Gate Driver for High-Side and Low-Side Switching Devices |
| Input Logic Level | 5V |
| Length (mm) | 8.7 |
| MOQ | 3000 |
| Parametric Category | Half-Bridge FET Drivers |
| Peak Pull-down Current (A) | 1 |
| Peak Pull-up Current (A) | 0.15 |
| Pkg. Type | SOIC-14 |
| Qualification Level | Standard |
| Rise Time (μs) | 50 |
| Thickness (mm) | 1.75 |
| Turn-Off Prop Delay (ns) | 50 |
| Turn-On Prop Delay (ns) | 50 |
| VBIAS (Max) (V) | 7.7 |
| Width (mm) | 8.75 |
RRW40120は、高電圧・高周波スイッチングデバイス向けのゲートドライバで、ルネサスのSuperGaN® FETおよび従来型パワーMOSFETに最適化されています。 独立したハイサイド(HS)およびローサイド(LS)ドライバを内蔵し、それぞれ独立した入力信号により最大限の制御柔軟性を実現します。 両チャンネルは伝搬遅延を一致させた設計で独立動作し、高性能電力変換システムにおける精密なタイミング制御をサポートします。
RRW40120は、LLC、アクティブクランプフライバック、フルブリッジ、インバータ、および各種フライバック、フォワード、共振コンバータなど、ハイサイドとローサイドの協調スイッチングが必要な回路に適しています。
CMOS/TTL互換の制御信号に対応しており、幅広いコントローラやマイコンとの簡単なインタフェース接続が可能です。 また、低電圧ロックアウト(UVLO)およびインタロック保護機能を内蔵しており、信頼性の高い動作を提供します。