特長
- 700V 480mΩ GaN FETを内蔵
- JEDEC規格認定済み GaN技術
- ゼロスタンバイ消費電力
- システムコスト低減に貢献する単層PCB設計に対応
- 急速充電アダプタおよび各種電源プロファイルに対応
- 適応MMC動作およびライン／負荷に応じたCCMまたはQRモード動作
- 効率向上と可聴ノイズの排除
- 小型化・高効率化・EMI性能最適化を実現
- 補助巻線電圧の正負両極性センシングにより、EMIを改善しトランス設計を簡素化
- GaNパワーデバイス向けに最適化されたゲートドライブ
- SSR制御により、微細ステップでの定電圧（CV）／定電流（CC）制御に対応
- 最大270kHzのスイッチング周波数に対応
- 内蔵保護機能：入力電圧低下／復帰検出、出力短絡、出力過電圧、フォトカプラ故障など
- ユーザ調整可能な内部OTPしきい値
説明
RRW22115は、700V SuperGaN® FETと高性能なAC/DC一次側デジタルフライバックコントローラを統合したSystem-in-Package（SiP）製品であり、二次側制御（SSR）に対応し、ゼロスタンバイ電力の急速充電アプリケーションを実現します。 ルネサスの特許取得済み固定周波数準共振（QR）スイッチングモードと適応マルチモード制御（MMC）で動作します。 RRW2211xは、ルネサスの二次側コントローラであるiW780/iW610、またはSSR、同期整流（SR）制御、およびProgrammable Power Supply（PPS）対応USB Power Delivery（PD）3.2を統合したRRW30110/RRW43010チップセットとの組み合わせに最適化されています。 一般的な設計では、RRW22115は25W～45Wクラスの用途に使用されます。また、RRW2211xとiW780チップセットを用いたUSB PDトラベルアダプタでは、USBケーブル非接続時に消費電力5mW未満を実現できます。
MMCはPWM、PFM、バーストモード動作を含み、効率とEMI性能の最適化を可能にします。 RRW22115とiW780チップセットは、多段階の定電圧（CV）および定電流（CC）制御に対応し、高精度な制御と高速かつスムーズな遷移を実現します。 SSRデジタル補償により外付けのループ補償部品が不要となり、あらゆる動作条件で安定性を維持します。
ルネサス独自のデジタル制御により、高効率、高精度な電圧・電流制御、および高速な動的負荷応答を実現しつつ、システムコストの低減にも貢献します。 QRスイッチング、MMC動作、SSRベースの制御を組み合わせることで、最新の急速充電要件に対応します。
パラメータ
| 属性 | 値 |
|---|---|
| Topology Characteristic | SSR Flyback |
| Control Mode | Peak Current Mode DCM/CCM |
| UVLO Rising (V) | 15.3 |
| UVLO Falling (V) | 7.5 |
| VBIAS (Max) (V) | 42 |
| PWMs (#) | 1 |
| Output Power Max (W) | 45 |
| Switching Frequency (KHz) | 70 - 270 |
| Controller / Integrated | Integrated |
| Advanced Features | SuperGaN Integrated |
| Simulation Model Available | No |
| Temp. Range (°C) | -40 to +150°C |
| Qualification Level | Standard |
パッケージオプション
| Pkg. Type | Pkg. Dimensions (mm) | Lead Count (#) |
|---|---|---|
| QFN8x8 | 8 x 8 x 0.85 | 22 |
製品比較
アプリケーション
- スマートフォン、タブレット、ノートPC向けUSB PDアダプタ
- TV、ネットワーク機器、家電、補助電源向け電源