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ルネサス エレクトロニクス株式会社 (Renesas Electronics Corporation)

特長

  • 700V 480mΩ GaN FETを内蔵
  • 外付けによる補助出力過電圧保護に対応
  • 適応型ソフトスタートにより、9V以上の出力で330µF~6,000µFの負荷容量に対してもスムーズに起動
  • 内蔵保護機能:出力短絡、出力過電圧、出力過電流
  • 動特性応答と無負荷時消費電力を最適化可能なユーザ設定式の軽負荷モード
  • 一般的な24W設計において、230VACで無負荷時消費電力75mW未満
  • PrimAccurate一次側制御によりフォトカプラが不要
  • 準共振動作と最大PWM周波数79kHzの最適化により、小型化・高効率化・低ノイズ化を実現
  • EZ‑EMI設計により製造性とEMIマージンを向上
  • 適応型PWM/PFMマルチモード制御により高効率を実現
  • 5段階のケーブルドロップ補償
  • 高精度な定電圧制御に加え、オプションで定電流制御にも対応
  • SmartDefenderヒカップ保護によりソフトショート状態に対応
  • オプションで内部過熱保護に対応
  • 動作範囲全域で可聴ノイズなし
  • QFN 8×8パッケージ

説明

RRW21115は、700V SuperGaN® FETと高性能なデジタルAC/DC一次側制御(PSR)フライバックコントローラを統合したSystem-in-Package(SiP)製品です。 設定可能な軽負荷モードにより、外付け抵抗1本で、無負荷時消費電力を最小化する設計、または高速な過渡応答を重視した設計が可能です。 準共振モードで動作し、重負荷時に高効率を実現するとともに、外付け部品点数の削減、EMI設計の簡素化、BOMコストの低減に貢献します。

PrimAccurate一次側制御により、二次側フィードバック部品が不要となり、優れたライン/負荷レギュレーションを維持します。 デジタル制御アーキテクチャにより外付けのループ補償が不要となり、パルスごとの波形解析により、従来方式より高速な動特性応答を実現します。 内蔵の電力制限機能により、ユニバーサルAC入力範囲にわたってトランスの最適化が可能で、RRW21115は主に約25Wクラスのアプリケーションで使用されます。

高い平均アクティブ効率を実現し、無負荷時消費電力を75mW未満に抑えることができます。 ソフトスタート機能により、任意の出力電圧において大容量の容量性負荷に対してもスムーズな起動が可能で、ネットワーク機器やモニタ用アダプタに適しています。

RRW21115は内部および外部の過電圧保護(OVP)機能を備えており、外部経路により補助的な出力OVPを追加することで、システムの保護機能を強化します。

パラメータ

属性
Topology CharacteristicPSR Flyback
Control ModePrimary-Side Regulation with Adaptive MMC
UVLO Rising (V)13.7
UVLO Falling (V)6.4
VBIAS (Max) (V)18
PWMs (#)1
Output Power Max (W)25
Switching Frequency (KHz)79 - 79
Controller / IntegratedIntegrated
Advanced FeaturesSuperGaN Integrated
Simulation Model AvailableNo
Temp. Range (°C)-40 to +150°C
Qualification LevelStandard

パッケージオプション

Pkg. TypePkg. Dimensions (mm)Lead Count (#)
QFN8x88 x 8 x 0.8522

製品比較

RRW21115RRW21111RRW21112
Control ModePrimary-Side Regulation with Adaptive MMCPrimary-Side Regulation with Adaptive MMCPrimary-Side Regulation with Adaptive MMC
Output Power Max (W)256545
PWMs (#)111

アプリケーション

  • ネットワーク機器およびモニタ向け電源アダプタ
  • ユニバーサルAC/DCアダプタ(最大25W)
  • 補助電源

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