パッケージ情報
| CADモデル: | View CAD Model |
| Pkg. Type: | FCQFN |
| Pkg. Code: | L5O |
| Lead Count (#): | 16 |
| Pkg. Dimensions (mm): | 3.0 x 3.0 x 0.75 |
| Pitch (mm): | 0.6 |
環境及び輸出分類情報
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 3 |
| Pb (Lead) Free | Yes |
| ECCN (US) | |
| HTS (US) |
製品スペック
| Lead Count (#) | 16 |
| Carrier Type | Reel |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 3 |
| Pitch (mm) | 0.6 |
| Pkg. Dimensions (mm) | 3.0 x 3.0 x 0.75 |
| Pb (Lead) Free | Yes |
| Pb Free Category | Pb-Free 100% Matte Tin Plate w/Anneal-e3 |
| Bootstrap Supply Voltage (Max) (V) | 115 |
| Charge Pump | No |
| Fall Time | 20ns |
| Input Logic Level | 5V |
| Length (mm) | 3 |
| MOQ | 6000 |
| Parametric Category | Half-Bridge FET Drivers |
| Peak Pull-down Current (A) | 4 |
| Peak Pull-up Current (A) | 3 |
| Pkg. Type | FCQFN |
| Qualification Level | Standard |
| Rise Time (μs) | 20 |
| Thickness (mm) | 0.75 |
| Turn-Off Prop Delay (ns) | 30 |
| Turn-On Prop Delay (ns) | 70 |
| VBIAS (Max) (V) | 18 |
| Width (mm) | 3 |
RRP68145 に関するリソース
説明
RRP68145は、100V、3Aソース、4Aシンクの高周波ハーフブリッジMOSFETドライバです。 RRP68145は、プログラム可能なデッドタイムとトライステートPWM入力を備えています。 6V〜18Vの広い動作電圧範囲で、100Vハーフブリッジアプリケーション向けにハイサイドNMOSおよびハイサイドNMOSの駆動をサポートする内蔵のブートストラップダイオードと、ローサイドNMOSを搭載しています。
RRP68145は、30nsの非常に高速な伝搬遅延の強力な3Aソース、4Aシンクのドライバを備えており、高周波スイッチングアプリケーションに最適です。 VDDとブートUVLOは、低電圧動作に対して保護します。
パルス幅変調(PWM)ピンのトライレベル入力は、ハイサイドおよびローサイドドライバを1つのピンで制御します。 PWM入力がロジックローの場合、ローサイドFETはオンになり、ハイサイドFETはオフになります。 入力電圧が中間レベル状態になると、ハイサイドとローサイドの両方のFETがオフになります。PWMスレッショルドレベルは、REF入力電圧範囲(VREF)ピンの外部入力リファレンス電圧に比例し、2.7V〜5.5Vのロジック範囲でPWM動作が可能です。
RRP68145は、16 Ld、3mm x 3mmのQFNパッケージで提供されます。