メインコンテンツに移動
ルネサス エレクトロニクス株式会社 (Renesas Electronics Corporation) - 6月はプライド月間として、LGBTQ+の権利や文化、コミュニティについて啓発する世界的な活動月間です

特長

  • アナログ制御インタフェースを備えた2チャネル統合150GbaudリニアTIA
  • 差動リニアトランスインピーダンス:75Ω~1,450Ω(標準)
  • ダイナミックレンジ >20dB
  • 調整可能なSDD21 3dB帯域幅(室温) >90GHz
  • 自動/手動ゲイン制御、出力電圧制御、ピーク検出、シャットダウン機能
  • 低全高調波歪み(THD)、低クロストーク、低消費電力

説明

RG8G3122Bは、800G以上対応の統合コヒーレント受信機(ICR)向け、2チャネル150Gbaudリニアトランスインピーダンスアンプ(TIA)です。 本デバイスは、IチャネルおよびQチャネル用の2つのTIA信号経路を内蔵しています。 高性能・低消費電力・コンパクト設計により、マイクロICRやIC-TROSAなどの光サブアセンブリを、小型フォームファクタ(SFF)統合光モジュールに搭載可能です。

パラメータ

属性
FunctionLinear TIA
Data Rate Max (Gbps)150
Channels (#)2

パッケージオプション

Pkg. Type
WAFER

製品比較

RG8G3122BRG8G31220RG8G31223RG8G31420
Channels (#)2224
Peaking Frequency (Typical) (GHz)80736973
3dB Bandwidth (GHz)95888490
Data Rate Max (Gbps)150128128128
Temp. Range (°C)-5 to 95°C-5 to 95°C-5 to 95°C-5 to 105°C

アプリケーション

  • 800G以上対応の150Gbaud高次QAM変調方式コヒーレントシステム
型名状態サンプル在庫パッケージLead Count (#)Carrier TypePb (Lead) FreePb Free CategoryTemp. Range (°C)
RG8G3122BDTGWTActiveAvailable在庫切れWAFER0WFPYese3 Sn-5 to 95°C
サポートコミュニティ

サポートコミュニティ

ルネサスエンジニアリングコミュニティの技術スタッフから迅速なオンライン技術サポートを受けることができます。
記事を参照する

ナレッジベース

ナレッジベースを参照して、役立つ記事、FAQ、その他の役立つリソースを入手してください。
サポートチケット

サポートチケット

技術的に深い内容や公開したくない内容のご質問はこちらです。