特長
- ノン・リニアリティ(NL200 = 0.35% MAX.)
- 瞬時同相除去電圧が高い(CMTI = 10 kV/μs MIN.)
- 入出力間絶縁耐圧が高い(BV = 5 000 Vr.m.s.)
- ゲインばらつきが小さい(G = 7.92~8.08 V/V(±1%))
中心ゲイン:8 V/V TYP. - パッケージ:8 ピン DIP の長沿面表面実装用リード・フォーミング品(L4)
- エンボス・テーピング対応品:PS8551AL4-E3:1 000 個/リール
- 鉛フリー対応品
- 海外安全規格
UL 認定品:No. E72422
CSA 認定品:No. CA 101391 (CA5A, CAN/CSA-C22.2 60065, 60950)
SEMKO 認定品(EN60065, EN60950)
DIN EN60747-5-5 (VDE0884-5) 認定品(オプション対応いたします)
説明
PS8551AL4 は,入力側に高精度な⊿ΣA/D 変換回路を備えた IC と高速応答かつ高発光効率の GaAlAs 発光ダイオードを使用し,出力側に高精度な D/A 変換回路を備えた IC を用いた光結合型アイソレーション・アンプです。
高耐ノイズ(高 CMTI)に加え,高い直線性(ノン・リニアリティ)を持つので,電流検出や電圧検出用途に最適です。
パラメータ
| 属性 | 値 |
|---|---|
| Channels (#) | 1 |
| Output Type | Analog |
| Isolation Voltage (Vrms) | 5000 |
| CMTI min. (kV/µs) | 10 |
| VDD1 (V) | 4.5 - 5.5 |
| VDD2 (V) | 4.5 - 5.5 |
| Input Voltage Linearity Range (mV) | -200 - 200 |
| Gain typ. (V/V) | 8 |
| Gain Error max. (%) | 1 |
| NL typ. (%) | 0.014 |
| fc typ. (kHz) | 100 |
| Creepage Distance (mm) | 8 |
| Safety Standard UL (UL1577) | Approved |
| Safety Standard VDE (EN IEC 60747-5-5) | Approved |
| Safety Standard CSA (CAN/CSA C22.2 62368-1) | Approved |
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