特長
- ルネサスのRad Tolerant ScreeningおよびQCI Flow(R34TB0004EU)に適合
- RFレンジ：500MHz～6500MHz
- ノイズ指数 = 2.2dB（4200MHz時）
- ゲイン = 16.6dB（4200MHz時）
- OIP3 = +38.4dBm（4200MHz時）
- 出力P1dB = +21.5dBm（4200MHz時）
- 温度に対するほぼ一定のゲイン
- 3.3Vまたは5V電源ICC = 40mA～60mA
- TID放射線ロット受入試験（RLAT）（LDR：≤ 10mrad(Si)/s）：
- ISL74324M30RZ：30krad(Si)
- ISL74324M50RZ：50krad(Si)
- SEE特性評価：
- VCC = 5.5V、ICC = 75mA、RF入力電力 = 22dBm（43MeV·cm²/mg）時、DSEEなし
- SET断面積 約340μm²まで（48MeV·cm²/mg通過）
- 3mm × 3mm、16-QFNパッケージ
ISL74324M ブロック図
説明
ISL74324Mは、放射線耐性を持つ500MHz～6500MHz対応のSiGe BiCMOS高ゲイン広帯域周波数（RF）アンプです。 低いノイズ指数（NF）と高い直線性性能の組み合わせにより、このデバイスは受信機と送信機の両方の用途で使用できます。
ISL74324Mは、単一の5Vまたは3.3V電源で動作し、標準消費電流は60mAです。 ISL74324Mは、供給電圧5V時に4200MHzで、16.6dBのゲイン、+38.4dBmのOIP3、2.2dBのノイズ指数を実現します。 さらに、バイアス調整が可能で、効率向上のために40mAという低電流でも動作させることができます。 このデバイスは、STBYピンを介した便利なシャットダウン機能を備えています。
ISL74324Mは3mm×3mmの16ピンQFNパッケージで提供され、50ΩシングルエンドRF入力および出力インピーダンスを備えており、信号経路への容易な統合を実現します。
パラメータ
| 属性 | 値 |
|---|---|
| Frequency Range (MHz) | 500 - 6500 |
| Gain (dB) | 16.6 |
| Noise Figure (dB) | 2.2 |
| OP1dB (dBm) | 21.5 |
| Input Supply Range (V) | 3.15 - 5.25 |
| TID LDR (krad(Si)) | 30, 50 |
| DSEE (MeV·cm2/mg) | 43 |
| Temp. Range (°C) | -55 to +105°C |
パッケージオプション
| Pkg. Type | Pkg. Dimensions (mm) | Lead Count (#) | Pitch (mm) |
|---|---|---|---|
| QFN | 3.0 x 3.0 x 0.90 | 16 | 0.5 |
アプリケーション
- Lバンド、Sバンドの受信／送信衛星チェーン
- 衛星中間周波数 受信／送信チェーン
Renesas Boards & Kits
ISL74324MEVAL1Z
アクティブ
耐放射線性500MHz～6.5GHz RFアンプ評価ボード
ISL74324MEVAL1Z評価ボードは、ISL74324放射線耐性RFアンプを迅速に評価する方法を提供します。 このボードは、STBYピンおよびRSETピンへのアクセスを提供します。 したがって、スタンバイ機能は評価可能です。 RSETピンにアクセスすることで、ユーザーはアンプのバイアス条件点を変更できます。
ISL74324MEVAL1Zは、バイアス電流60mAで動作するよう初期設定されています。 バイアス電流は調整可能です。 PCBにはスルーラインが設けられているため、PCB配線の損失を除去でき、デバイスのゲインを正確に測定できます。
推奨ドキュメント:
