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ルネサス エレクトロニクス株式会社 (Renesas Electronics Corporation)

特長

  • ルネサスのRad Tolerant ScreeningおよびQCI Flow(R34TB0004EU)に適合
  • RFレンジ:500MHz~6500MHz
  • ノイズ指数 = 2.2dB(4200MHz時)
  • ゲイン = 16.6dB(4200MHz時)
  • OIP3 = +38.4dBm(4200MHz時)
  • 出力P1dB = +21.5dBm(4200MHz時)
  • 温度に対するほぼ一定のゲイン
  • 3.3Vまたは5V電源ICC = 40mA~60mA
  • TID放射線ロット受入試験(RLAT)(LDR:≤ 10mrad(Si)/s):
    • ISL74324M30RZ:30krad(Si)
    • ISL74324M50RZ:50krad(Si)
  • SEE特性評価:
    • VCC = 5.5V、ICC = 75mA、RF入力電力 = 22dBm(43MeV·cm²/mg)時、DSEEなし
    • SET断面積 約340μm²まで(48MeV·cm²/mg通過)
  • 3mm × 3mm、16-QFNパッケージ

説明

ISL74324Mは、放射線耐性を持つ500MHz~6500MHz対応のSiGe BiCMOS高ゲイン広帯域周波数(RF)アンプです。 低いノイズ指数(NF)と高い直線性性能の組み合わせにより、このデバイスは受信機と送信機の両方の用途で使用できます。

ISL74324Mは、単一の5Vまたは3.3V電源で動作し、標準消費電流は60mAです。 ISL74324Mは、供給電圧5V時に4200MHzで、16.6dBのゲイン、+38.4dBmのOIP3、2.2dBのノイズ指数を実現します。 さらに、バイアス調整が可能で、効率向上のために40mAという低電流でも動作させることができます。 このデバイスは、STBYピンを介した便利なシャットダウン機能を備えています。

ISL74324Mは3mm×3mmの16ピンQFNパッケージで提供され、50ΩシングルエンドRF入力および出力インピーダンスを備えており、信号経路への容易な統合を実現します。

パラメータ

属性
Frequency Range (MHz)500 - 6500
Gain (dB)16.6
Noise Figure (dB)2.2
OP1dB (dBm)21.5
Input Supply Range (V)3.15 - 5.25
TID LDR (krad(Si))30, 50
DSEE (MeV·cm2/mg)43
Temp. Range (°C)-55 to +105°C

パッケージオプション

Pkg. TypePkg. Dimensions (mm)Lead Count (#)Pitch (mm)
QFN3.0 x 3.0 x 0.90160.5

アプリケーション

  • Lバンド、Sバンドの受信/送信衛星チェーン
  • 衛星中間周波数 受信/送信チェーン

適用されたフィルター