パッケージ情報
| Pitch (mm) | 1.27 |
| Lead Count (#) | 8 |
| Pkg. Dimensions (mm) | 4.93 x 3.94 x 1.47 |
| Pkg. Code | MAB |
| Pkg. Type | SOICN |
環境及び輸出分類情報
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 |
| Pb (Lead) Free | Yes |
| ECCN (US) | EAR99 |
| HTS (US) | 8542390001 |
| RoHS (HIP2211FBZ-T) | ダウンロード |
製品スペック
| Lead Count (#) | 8 |
| Carrier Type | Reel |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 |
| Pkg. Dimensions (mm) | 4.9 x 3.9 x 1.47 |
| Pitch (mm) | 1.3 |
| Pb (Lead) Free | Yes |
| Pb Free Category | Nickel/Palladium/Gold-Silver - e4 |
| Temp. Range | -40 to +125°C |
| Country of Assembly | Philippines |
| Country of Wafer Fabrication | Taiwan |
| Price (USD) | 1ku | 0.95356 |
| Bootstrap Supply Voltage (Max) (V) | 115 |
| Charge Pump | No |
| Fall Time | 20 |
| Input Logic Level | 3.3V/TTL |
| Length (mm) | 4.9 |
| Longevity | 0000 7月 |
| MOQ | 2500 |
| Parametric Category | Half-Bridge FET Drivers |
| Peak Pull-down Current (A) | 4 |
| Peak Pull-up Current (A) | 3 |
| Pkg. Type | SOICN |
| Qualification Level | Standard |
| Rise Time (μs) | .020 |
| Simulation Model Available | iSim |
| Thickness (mm) | 1.47 |
| Turn-Off Prop Delay (ns) | 15 |
| Turn-On Prop Delay (ns) | 15 |
| VBIAS (Max) (V) | 18 |
| Width (mm) | 3.9 |
説明
HIP2211は100V、3Aソース、4Aシンクの高周波ハーフブリッジNMOS FETドライバです。HIP2211は標準のHI/LI入力を備え、HIP2101やISL2111などルネサスの一般的なブリッジドライバとピン互換性があります。6V～18Vの広い動作電源範囲とハイサイドブートストラップダイオードの内蔵により、100VハーフブリッジアプリケーションでのハイサイドおよびローサイドNMOSの駆動をサポートします。
この3Aソース、4Aシンクのドライバは高速な15ns（標準）の伝搬遅延と2ns（標準）の遅延マッチングを実現しており、高周波スイッチング・アプリケーションに最適な製品です。VDDとブートUVLOにより低電圧動作の際も保護されます。
HIP2211は、8Ld SOIC、8Ld 4x4mm DFN、10Ld 4x4mm TDFNパッケージで提供されます。