ルネサス エレクトロニクス株式会社 (Renesas Electronics Corporation)
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RTDTTP4200W066A-KIT

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4.2kWデジタルブリッジレストーテムポールPFC評価ボード

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RTDTTP4200W066A Evaluation Board Manual

概要

RTDTTP4200W066A 4.2kWブリッジレストーテムポール力率補正(PFC)評価ボードは、最新のルネサス第IV世代プラスSuperGaN® FETを使用した高効率の単相AC/DC変換を可能にします。 このTP65H030G4PWSは、逆回復電荷が低いダイオードフリーの窒化ガリウム(GaN)FETブリッジです。

RTDTTP4200W066A-KIT Evaluation Board - Angle
RTDTTP4200W066A-KIT Evaluation Board - Top
RTDTTP4200W066A-KIT Evaluation Board - Bottom
RTDTTP4200W066A-KIT Evaluation Board - Angle
RTDTTP4200W066A-KIT Evaluation Board - Top
RTDTTP4200W066A-KIT Evaluation Board - Bottom
  • ローラインおよびハイライン入力トーテムポールPFC機能、385VDC出力で最大4200Wをサポート
  • スイッチング周波数:66kHz
  • 高効率で低損失
  • 最大電力でもパッケージ温度は低くキープ
  • 過電流および過電圧保護
  • 鉛フリー

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The latest generation of high-voltage Gallium Nitride (GaN) FETs offers superior thermal efficiency and ultra-low power loss, enabling high-density power conversion in multi-kilowatt AI datacenters, industrial systems, and charging applications.

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2025年7月1日
GaNパワー半導体の新製品を、AIサーバ、産業機器、充電システムなどに向けて提供開始