概要
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| 型名 | 状態 | 在庫 | 参考価格(米ドル) | Sampleable | ECCN (US) | HTS (US) |
|---|---|---|---|---|---|---|
| RTDTTP4200W066A-KIT | Active | 在庫切れ | 1u | $1111 | N/A | EAR99 | 8473.30.1180 |
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The latest generation of high-voltage Gallium Nitride (GaN) FETs offers superior thermal efficiency and ultra-low power loss, enabling high-density power conversion in multi-kilowatt AI datacenters, industrial systems, and charging applications.
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ニュース 2025年7月1日 |