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ブログ

RoX AI Studio Advances Software-Defined Vehicle Design by Aish Dubey Blog Image

シリコンからソフトウェアへ:SDV設計を加速させるRoX AI Studio

SDVは自動車設計を根底から変えています。SDV開発を加速するためにRoXプラットフォームを拡張した新RoX AI Studioツールを紹介します。

Accelerate Automotive AI Innovation with RoX AI Studio Blog Image

Accelerate Automotive AI Innovation with RoX AI Studio

Learn how the RoX AI studio can transform your product engineering experience and accelerate your development for automotive applications.

Driving the Future of X-by-Wire and Motor Commutation with Automotive Inductive Position Sensors Blog Image

車載用誘導型位置センサを用いたX-by-Wireおよびモータ制御アプリケーションの未来を拓く

ルネサスの誘導型位置センサは、専用のコイル最適化ツールにより高精度を実現し、X-by-Wireやモータ制御に最適な、磁石不要で浮遊磁場の影響を受けないソリューションを提供します。

Develop Highly Efficient X-in-1 Integrated Systems for EVs Blog Image

高効率なX-in-1統合EVシステムの開発

一つのRH850/U2B MCUでEV駆動、充電、バッテリ管理システムを開発する方法。

REXFET MOSFETs Blog Image

REXFET MOSFETでRDS(on)を低減

ルネサスのREXFET-1プロセスは、スプリットゲートトレンチ構造を使用して導通損失とスイッチング損失を最小限に抑え、以前のANM1/ANM2スーパージャンクション技術から大幅に進化を遂げています。

RL78/F25 Microcontroller Plays a Key Role in the Next Generation of E/E Architecture Blog Image

次世代のE/Eアーキテクチャにおいて重要な役割を果たすRL78/F25

RL78/F25はルネサス初の静電容量式センサ・ユニット (CTSU2SLa) を搭載した車載MCU製品です。 E/Eアーキテクチャのトレンドに対応するため、CAN FDとセキュリティにも対応しています。

Primit Parikh GaN Blog Image

GaNパワー半導体で未来を切り拓く

ルネサスが注力するGaNパワー半導体への取り組みを紹介します。

Powering High-Performance Systems with Renesas GaN Blog Image

ルネサスのGaNを用いた高性能システムへの電力供給

市場では、電力供給の高効率、高密度、高信頼性が求められており、半導体のイノベーションを促しています。 ルネサスのGaN技術が、高性能システムの要件を満たすのに最適な理由をご紹介します。

How Your High-Performance System Can Benefit from GaN and Low-Voltage MOSFETs Blog Image

高性能システムにおけるGaNおよび低電圧MOSFETの活用によるメリットとは

GaNや低電圧MOSFETなどのパワー半導体技術が、高性能アプリケーションにおける効率、電力密度、信頼性への高まる要求に応える形で、どのように進化してきたかをご覧ください。

A Complete Level 2 EV Charging Solution for the Future of Mobility Blog Image

モビリティの未来を支える:完全なレベル2 EV充電ソリューション

ルネサスは、安全性が高く、接続性と拡張性に優れたレベル2のEV充電ソリューションを提供し、家庭、職場、および軽商用用途において、信頼性が高く効率的な充電を実現します。