概要

説明

RMLV1616A-U シリーズは、1,048,576 ワード × 16 ビット構成の非同期16Mbit 低消費電力SRAM です。

ルネサス独自のAdvanced LPSRAM 技術を採用し、一般的なECC 搭載SRAM に比べ、優れたソフトエラー耐量を有しております。したがって、RMLV1616A-U シリーズは、バッテリバックアップシステムに最適です。

また、RMLV1616A-U シリーズは、48 ピンの薄型パッケージ( TSOP / 12mm × 20mm [ピンピッチ0.50mm] )、48 ボールファインピッチBGA(FBGA 0.75mm ボールピッチ)に収納されており、高密度実装に最適です。

特長

  • スタンバイ時 超低消費電流:
    - ~25℃:0.5μA (typ.)/3μA (max.)
    - ~85℃:4.5μA (typ.)/8μA (max.)
  • 高速アクセスタイム:45ns/55ns (max.)
  • 一般的なECC 搭載SRAM と比べ、優れたソフトエラー耐量 (< 0.04 FIT/Mb)*1。
  • 3V 単一電源:2.7V ~ 3.6V
  • 1,048,576 ワード × 16 ビット構成 (48pin TSOP(I) パッケージは、2,097,152 ワード × 8 ビット構成も選択可能)
  • CS1#, CS2 信号によりメモリ容量の拡張可能です。
  • 外部クロック及びリフレッシュ操作不要です。
  • データ入力と出力が共通端子です。
    - スリーステート出力
  • すべての入出力が、TTL コンパチブルです。
  • バッテリバックアップ動作が可能です。
  • パッケージは、鉛フリー、RoHS 適合品です。

【注】*1. JEDEC 規格 JESD89A に準拠した加速試験に基づく。詳細はお問い合わせください。

製品比較

アプリケーション

ドキュメント

分類 タイトル 日付
データシート PDF 351 KB 英語
ガイド PDF 2.41 MB 英語
ガイド PDF 568 KB 英語
製品別信頼性資料 PDF 197 KB
ガイド PDF 1.31 MB 英語
パッケージ外形図 PDF 60 KB
6 items

設計・開発

モデル