特長
- スタンバイ時 超低消費電流：
- ～25℃：0.5μA (typ.)/3μA (max.)
- ～85℃：4.5μA (typ.)/8μA (max.) - 高速アクセスタイム：45ns/55ns (max.)
- 一般的なECC 搭載SRAM と比べ、優れたソフトエラー耐量 (< 0.04 FIT/Mb)*1。
- 3V 単一電源：2.7V ～ 3.6V
- 1,048,576 ワード × 16 ビット構成 (48pin TSOP(I) パッケージは、2,097,152 ワード × 8 ビット構成も選択可能)
- CS1#, CS2 信号によりメモリ容量の拡張可能です。
- 外部クロック及びリフレッシュ操作不要です。
- データ入力と出力が共通端子です。
- スリーステート出力 - すべての入出力が、TTL コンパチブルです。
- バッテリバックアップ動作が可能です。
- パッケージは、鉛フリー、RoHS 適合品です。
【注】*1. JEDEC 規格 JESD89A に準拠した加速試験に基づく。詳細はお問い合わせください。
説明
RMLV1616A-U シリーズは、1,048,576 ワード × 16 ビット構成の非同期16Mbit 低消費電力SRAM です。
ルネサス独自のAdvanced LPSRAM 技術を採用し、一般的なECC 搭載SRAM に比べ、優れたソフトエラー耐量を有しております。したがって、RMLV1616A-U シリーズは、バッテリバックアップシステムに最適です。
また、RMLV1616A-U シリーズは、48 ピンの薄型パッケージ（ TSOP / 12mm × 20mm [ピンピッチ0.50mm] ）、48 ボールファインピッチBGA（FBGA 0.75mm ボールピッチ）に収納されており、高密度実装に最適です。
パラメータ
| 属性 | 値 |
|---|---|
| Memory Density | 16M |
| Organization | 1M x 16 |
| Access Time (ns) | 55 |
| Supply Voltage (V) | 2.7 - 3.6 |
| Temp. Range (°C) | -40 to +85 |