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TP70H240G4ZS

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DPAK TO-252 に搭載された 700V、240mΩ、SuperGaN FET

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特長

  • DPAK TO-252パッケージの700V、240ｍΩ GaNデバイス
  • Gen IV テクノロジー
  • JEDEC認定のGaN技術
  • ダイナミックRDS(on)effテスト済み
  • ロバスト設計は、以下によって定義されます。
    • 広いゲート安全マージン
    • 過渡過電圧耐量
  • 低QRR
  • クロスオーバー損失の低減
  • RoHS準拠およびハロゲンフリーパッケージ
  • ハードスイッチ回路とソフトスイッチ回路の両方で効率が向上し、次のことが可能になります。
    • 電力密度の向上
    • システムのサイズと重量を削減
    • 全体的なシステムコストの削減
  • 一般的に使用されるゲートドライバーで簡単に制御できます
  • 性能向上のためのケルビン源
  • より高いしきい値電圧によりe-modeに対してノイズ耐性を向上させます
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TP70H240G4ZS Package and Circuit
TP70H240G4ZS Package and Circuit

説明

TP70H240G4ZS 700V、240mΩ、窒化ガリウム(GaN)FETは、ルネサスのGen IV SuperGaN®技術によるノーマリーオフデバイスです。 高電圧GaN高電子移動度トランジスタ(HEMT)と低電圧シリコンMOSFETを接合し、優れた信頼性と性能を実現します。 ルネサスのGaNは、ゲート電荷、クロスオーバー損失、逆回復電荷を低減することで、シリコンよりも高い効率を提供します。 このTP70H240G4ZSは、コモンソース構成のDPAK(TO-252)パッケージで入手できます。

パラメータ

属性値
Blocking CapabilityUni-Directional Switch
Qualification LevelStandard
Vds min (V)700
V(TR)DSS max (V)800
RDSON (Typ) (mΩ)240
RDSON (max) (mΩ)312
Vth typ (V)2
Id max @ 25°C (A)8
Qg typ (nC)5.4
Qoss (nC)17
Ron * Qoss (FOM)4080
Ciss (Typical) (pF)487
Coss (Typical) (pF)16.3
Mounting TypeSurface Mount
Temp. Range (°C)-55 to +150°C

パッケージオプション

Pkg. Type
DPAK

アプリケーション

  • 幅広いデータ通信
  • 産業用機器
  • PVインバーター
  • サーボモータ
型名状態サンプル在庫パッケージ参考価格（米ドル）Carrier TypeMoisture Sensitivity Level (MSL)Mounting TypeTemp. Range (°C)Country of AssemblyCountry of Wafer Fabrication
TP70H240G4ZS-TRActiveAvailable在庫ありDPAK1ku | $0.7Tape & Reel3Surface Mount-55 to +150°CCHINAJAPAN
読込中

フィルター

    推奨ドキュメント (1)

  1. データシート
    英語
    TP70H240G4ZS Datasheet
    RECOMMENDED
    PDF 759 KB R07DS1607EU0200 Rev.2.00 2025年11月21日
    The TP70H240G4ZS 700V, 240mΩ Gallium Nitride (GaN) FET is a normally-off device combining a state-of-the-art high-voltage GaN HEMT with a low-voltage silicon MOSFET. It achieves increased efficiency in both hard- and soft-switched circuits and is operational with E-mode gate drivers. The Renesas Gen IV SuperGaN® platform uses advanced epi to improve efficiency over silicon via lower gate charge, output capacitance, crossover loss, and reverse recovery charge.

    データシート (1)

  1. データシート
    英語
    TP70H240G4ZS Datasheet
    RECOMMENDED
    PDF 759 KB R07DS1607EU0200 Rev.2.00 2025年11月21日
    The TP70H240G4ZS 700V, 240mΩ Gallium Nitride (GaN) FET is a normally-off device combining a state-of-the-art high-voltage GaN HEMT with a low-voltage silicon MOSFET. It achieves increased efficiency in both hard- and soft-switched circuits and is operational with E-mode gate drivers. The Renesas Gen IV SuperGaN® platform uses advanced epi to improve efficiency over silicon via lower gate charge, output capacitance, crossover loss, and reverse recovery charge.

    アプリケーションノート、ホワイトペーパー (1)

  1. ホワイトペーパー
    英語
    D-mode GaN Remains a Natural Fit for High-Voltage Applications
    PDF 1.9 MB R16WP0012EU0100 Rev.1.00 2025年12月19日
    D-Mode GaN combines the best of both GaN and Silicon and is ideal for high-voltage applications with high-speed, high-voltage GaN switching, robust 4V threshold gate compatible with standard gate drivers, and a range of standard package offerings not available with other GaN technologies.

    その他資料 (1)

  1. 技術概要
    英語
    Designing with Renesas High-Voltage GaN Devices Technical Brief
    PDF 992 KB R16TB0004EU0100 Rev.1.00 2025年12月02日
読込中
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