パッケージ情報
| CADモデル: | View CAD Model |
| Pkg. Type: | PQFN88 |
| Pkg. Code: | |
| Lead Count (#): | |
| Pkg. Dimensions (mm): | 8 x 8 |
| Pitch (mm): |
環境及び輸出分類情報
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 3 |
| ECCN (US) | EAR99 |
| HTS (US) | 8541.29.0095 |
| Pb (Lead) Free |
製品スペック
| Pkg. Type | PQFN88 |
| Carrier Type | Tape & Reel |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 3 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Temp. Range (°C) | -55 to +150°C |
| Country of Assembly | CHINA |
| Country of Wafer Fabrication | JAPAN |
| Blocking Capability | Uni-Directional Switch |
| Ciss (Typical) (pF) | 588 |
| Coss (Typical) (pF) | 64 |
| FET Type | N-Channel |
| Id max @ 25°C (A) | 29 |
| Pkg. Dimensions (mm) | 8 x 8 |
| Qg typ (nC) | 11 |
| Qoss (nC) | 64 |
| Qualification Level | Standard |
| Quality Level | Standard |
| RDSON (Typ) (mΩ) | 72 |
| RDSON (max) (mΩ) | 85 |
| Ron * Qoss (FOM) | 4608 |
| V(TR)DSS max (V) | 800 |
| Vds min (V) | 650 |
| Vth typ (V) | 4 |
| trr (Typical) (nS) | 47 |
TP65H070G4LSGEA に関するリソース
説明
TP65H070G4LSGEA 650V、70mΩ、窒化ガリウム(GaN)FETは、ルネサスのGen IV SuperGaN® 技術によるノーマルオフデバイスです。 最先端の高電圧GaN高電子移動度トランジスタ(HEMT)と低電圧シリコンMOSFETを接合し、優れた信頼性と性能を提供します。 ルネサスのGaNは、ゲート電荷、クロスオーバー損失、逆回復電荷を低減することで、シリコンよりも高い効率を実現します。 このTP65H070G4LSGEAは、コモンソース構成のPQFN88 3ピン・パフォーマンス・パッケージで提供されます。