特長
- Gen IVテクノロジー
- JEDEC認定のGaN技術
- 動的RDS(on)eff生産テスト済み
- ロバスト設計、以下によって定義されます。
- 広いゲート安全マージン
- 過渡過電圧機能
- 非常に低いQRR
- クロスオーバー損失の低減
- RoHS準拠およびハロゲンフリーのパッケージ
- ハードスイッチ回路とソフトスイッチ回路の両方で効率を向上
- 電力密度の向上
- システムのサイズと重量の低減
- 全体的なシステムコストの削減
- 一般的に使用されるゲートドライバーで運転が簡単
- 性能向上のためのケルビンソース
- SiおよびSiC TO-247-4によるピン間ドロップイン(注:タブはソースとドレイン)
説明
TP65H050G4YS 650V 50mΩ窒化ガリウム(GaN)FETは、ルネサスのGen IVプラットフォームを使用して構築されたノーマリオフデバイスです。 最先端の高電圧GaN HEMT技術と低電圧シリコンMOSFET技術を組み合わせ、優れた信頼性と性能を提供します。
ルネサスのGaNは、ゲート電荷の低減、クロスオーバー損失の低減、逆回復電荷の低減により、シリコンに対する効率を向上させます。
このTP65H050G4YSは、ケルビンソースと共通ソースパッケージ構成の業界標準のTO-247-4で提供されます。
パラメータ
| 属性 | 値 |
|---|---|
| Qualification Level | Standard |
| Vds min (V) | 650 |
| V(TR)DSS max (V) | 800 |
| RDSON (Typ) (mΩ) | 50 |
| RDSON (max) (mΩ) | 60 |
| Vth typ (V) | 4 |
| Id max @ 25°C (A) | 35 |
| Qrr typ (nC) | 0 |
| Qg typ (nC) | 16 |
| Qoss (nC) | 112 |
| Ron * Qoss (FOM) | 5600 |
| Ciss (Typical) (pF) | 1000 |
| Coss (Typical) (pF) | 110 |
| trr (Typical) (nS) | 50 |
| Mounting Type | Through Hole |
| Temp. Range (°C) | -55 to +150°C |
パッケージオプション
| Pkg. Type | Lead Count (#) |
|---|---|
| TO-247-4L | 4 |
アプリケーション
- データコム
- 幅広い産業
- PVインバーター
- サーボ モーター