概要
説明
TP65H035G4WS 650V 35mΩ窒化ガリウム(GaN)FETは、GenIVプラットフォームを使用して構築されたノーマリオフデバイスです。 最先端の高電圧GaN HEMTと低電圧シリコンMOSFETを組み合わせて、優れた信頼性と性能を提供します。
ルネサスのGaNパワー製品は、ゲート電荷の低減、クロスオーバー損失の低減、逆回復電荷の低減により、シリコンよりも効率が向上します。
このTP65H035G4WSは、業界標準の3ピンTO-247パッケージで提供され、共通のソースパッケージ構成を採用しています。
特長
- JEDEC認定のGaN技術
- ダイナミックRDS(on)eff 生産テスト済み
- ロバスト設計、以下によって定義されます。
- 固有の寿命テスト
- 広いゲート安全マージン
- 過渡過電圧機能
- 突入電流能力の向上
- 非常に低いQRR
- クロスオーバー損失の低減
- AC-DCブリッジレストーテムポールPFC設計が可能
- 電力密度の向上
- システムのサイズと重量の低減
- 全体的なシステムコストの削減
- ハードスイッチ回路とソフトスイッチ回路の両方で効率を向上
- 一般的に使用されるゲートドライバーで簡単に駆動できます
- GSDピンレイアウトにより高速設計が向上
- RoHS準拠およびハロゲンフリーのパッケージ
製品比較
アプリケーション
設計・開発
ソフトウェア／ツール
ボード＆キット
Evaluation
4kW Analog Control Bridgeless Totem-pole PFC GaN Evaluation Platform
Renesas' high-efficiency 4kW TDTTP4000W065AN evaluation board is designed for single-phase AC-to-DC power conversion up to 4kW. The board uses the bridgeless totem-pole power factor correction (PFC) topology with a traditional analog control. This pairing provides fast and easy access to the...
Evaluation
4kW Totem-pole PFC GaN Evaluation Platform
The TDTTP4000W066B 4kW bridgeless totem-pole power factor correction (PFC) evaluation board achieves very high-efficiency single-phase AC-DC conversion. Using GaN FETs in the fast-switching leg of the circuit and low-resistance MOSFETs in the slow-switching leg of the circuit results in improved...
Evaluation
TDTTP4000W066C-KIT
新規採用非推奨品
4kW Totem-pole PFC GaN Evaluation Platform
The TDTTP4000W066C 4kW bridgeless totem-pole power factor correction (PFC) evaluation board achieves very high-efficiency single-phase AC-DC conversion. Using a dsPIC along with Renesas' GaN FETs in the fast-switching leg of the circuit and low-resistance MOSFETs in the slow-switching leg of the...
モデル
ECADモデル
SamacSysの回路図シンボル、PCBフットプリント、および3D CADモデルは、製品オプションテーブルのCADモデルリンクをクリックすることで参照できます。シンボルまたはモデルが対応していない場合は、SamacSysに直接リクエスト可能です。
製品選択
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