パッケージ情報
| CADモデル: | View CAD Model |
| Pkg. Type: | TOLT |
| Pkg. Code: | |
| Lead Count (#): | |
| Pkg. Dimensions (mm): | |
| Pitch (mm): |
環境及び輸出分類情報
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 3 |
| HTS (US) | 8541.29.0095 |
| RoHS (TP65B110HRU-TR) | 英語日本語 |
| Pb (Lead) Free | |
| ECCN (US) |
製品スペック
| Pkg. Type | TOLT |
| Carrier Type | Tape & Reel |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 3 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Temp. Range (°C) | -55 to +150°C |
| Blocking Capability | Bidirectional Switch |
| Ciss (Typical) (pF) | 810 |
| Coss (Typical) (pF) | 63 |
| Country of Assembly | MALAYSIA |
| Country of Wafer Fabrication | JAPAN |
| FET Type | N-Channel |
| Id max @ 25°C (A) | 24 |
| Qg typ (nC) | 6.8 |
| Qoss (nC) | 62 |
| Qualification Level | Standard |
| RDSON (Typ) (mΩ) | 110 |
| RDSON (max) (mΩ) | 140 |
| RXEN Polarity | Bidirectional GaN |
| Ron * Qoss (FOM) | 6820 |
| V(TR)DSS max (V) | 800 |
| Vds min (V) | 650 |
| Vth typ (V) | 3 |
TP65B110HRU に関するリソース
説明
TP65B110HRUは、ルネサスのSuperGaN® Gen I 双方向プラットフォームを基盤とするオン抵抗650V 110mΩの共通ドレイン双方向スイッチ（BDS）です。 最小クラスのフットプリントで、双方向に電流を導通し電圧を遮断するとともに、クラス最高水準のFOM（Figure of Merit）を実現します。 本デバイスは、モノリシックな高耐圧双方向ディプリーションモードGaNとノーマリーオフの低電圧シリコンMOSFETを組み合わせることで、優れた性能、標準ゲートドライブ互換性を確保できる高いしきい値、容易な統合性、および先進的な電力アプリケーション向けの高い信頼性を提供します。