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ルネサス エレクトロニクス株式会社 (Renesas Electronics Corporation)

特長

  • 広い動作入力電圧範囲:4.5V〜22V
  • 最大連続電流:6A
  • 低RDSON nFETスイッチ内蔵:13mΩ
  • ピンで選択可能なVIN 過電圧ロックアウト
  • 2段階の自動nFET SOA保護:
    • 25W SOAスレッショルド(ブランキング時間なし)
    • 12.5W SOAスレッショルド、ブランキング時間:18ms
  • コンデンサで調整可能な突入電流制御
  • 2段階の電流制限保護:
    • 抵抗で調整可能なアクティブ電流制限
    • 内部短絡電流制限
  • オープンドレイン FAULT シグナリング
  • オープンドレインパワーグッドシグナリング
  • MOSFETアナログ電流モニタ出力:10μA / A
  • オンオフ制御:アクティブハイ
  • 動作温度範囲:-40 ℃~85 ℃
  • 高速4kΩ出力放電
    • 鉛フリー/ハロゲンフリー/RoHS対応パッケージ

説明

このSLG59H1132Vは、最大6Aまでのすべての4.5V〜22V電源レール用に設計された高性能、自己給電型の13mΩ NMOS負荷スイッチです。 独自のMOSFET設計を使用しているため、このSLG59H1132Vは広い入力電圧範囲で安定した13mΩのRDSON を実現します。 斬新なFET設計と銅ピラーインターコネクトを組み合わせることで、SLG59H1132Vパッケージは大電流動作に対して低い熱抵抗も示します。 -40°C〜+85°Cの範囲で動作するように設計されているこのSLG59H1132Vは、低熱抵抗、RoHS準拠、1.6mm x 3.0mmのSTQFNパッケージで提供されます。

パラメータ

属性
FET Pass Device TypeSingle N-Channel
VIN Channel 1 min. (V)4.5
VIN Channel 1 max. (V)22
Input Quiescent Current Channel 1, typ (uA)500
Input Quiescent Current Channel 1, max (uA)610
Input Quiescent Current when OFF Channel 1, typ (uA)0.5
Input Quiescent Current when OFF Channel 1, max (uA)3
RDSON (Typ) Channel 1 (mΩ)13
IDS Channel 1 (A)6
EnableActive High
Output Voltage Slew Rate set byCapacitor
Discharge CircuitYes
Undervoltage ProtectionYes
Over Voltage ProtectionYes
Power Good (PG), FAULT indicatorPG & FAULT
Reverse current blockingNo
Reverse voltage detectionNo
Over Current Protection (OCP)Adjustable
Over Current Protection Setting Range Channel 11 - 7
Short Circuit ProtectionYes
Over Temperature Protection (OTP)Yes
Current Monitor OutputYes
Internal TVS Surge ProtectionNo
Temp. Range (°C)-40 to +85°C

パッケージオプション

Pkg. TypePkg. Dimensions (mm)Lead Count (#)Pitch (mm)
STQFN-181.6 x 3.0 mm180.4

アプリケーション

  • 電源レールスイッチング
  • 複合プリンタ
  • 電気通信機器
  • ハイパフォーマンス・コンピューティング:5V、9V、12V、20Vのポイント・オブ・ロード配電

適用されたフィルター