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ルネサス エレクトロニクス株式会社 (Renesas Electronics Corporation)
2.5A 出力,高 CMR, IGBT, MOS FET ゲート駆動用 5 ピン SSOP(LSSO5, 8.2 ㎜沿面)フォトカプラ

パッケージ情報

CADモデル:View CAD Model
Pkg. Type:LSSO5
Pkg. Code:pkg_20044
Lead Count (#):5
Pkg. Dimensions (mm):2.5 x 7.5 x 2.1
Pitch (mm):

環境及び輸出分類情報

Moisture Sensitivity Level (MSL)1
Pb (Lead) FreeYes
ECCN (US)EAR99
HTS (US)8541.49.8000
RoHS (RV1S9231ACCSP-10YV#KC0)英語日本語

製品スペック

Lead Count (#)5
Moisture Sensitivity Level (MSL)1
Pb (Lead) FreeYes
Country of AssemblyJAPAN
Country of Wafer FabricationJAPAN
Breakdown Voltage (BV) (kV rms)5
CMTI min. (kV/µs)50
Channels (#)1
Creepage Distance (mm)8.2
DC IFLH max. (mA)5.2
IFLH (Max) (mA)5.2
IOL/IOH (Peak) (A)2.5
Isolation Voltage (Vrms)5000
Lead CompliantYes
Length (mm)2
Longevity2030 12月
MOQ3500
Peak Output Current IPK (A)2.5
Pkg. TypeLSSO5
SW PDD max. (ns)90
SW PWD max. (ns)75
SW tPLH, tPHL max. (ns)175
Safety Standard CSA (CAN/CSA C22.2 62368-1)Approved
Safety Standard UL (UL1577)Approved
Safety Standard VDE (EN IEC 60747-5-5)Approved
Supply Voltage (V)15 - 30
Tape & ReelNo
Target applicationsAC Servo, Industrial inverter, Solar inverter, Uninterruptible Power Supply (UPS), IH(Induction Heating), IGBT Gate Driver
Thickness (mm)2.1
VCC-VEE (Max) (V)35
Width (mm)8
tPHL (Max) (μs)0.175
tPLH (Max) (μs)0.175
tf (Typical) (µs)0.04

説明

RV1S9231A は,入力側にAlGaAs 発光ダイオードを使用し,出力側にフォトダイオード,信号処理回路,高速大電流回路を同一チップ上に構成した受光IC を用いた高速フォトカプラです。高耐ノイズ(高CMR),大電流,高速スイッチングを実現し,IGBT のゲート駆動用に最適です。