特長
- 115VDCのブートストラップ電源の最大電圧は、ハーフブリッジで100Vをサポート
- 3Aソースおよび4Aシンクゲートドライバ
- 高速伝搬遅延:30ns遅延(標準)
- 0.5Ω(typ)ブートストラップダイオード内蔵
- 6V〜18Vの広い動作電圧範囲
- VDDおよびブート低電圧ロックアウト(UVLO)
- 堅牢なノイズ耐性:入力での広いヒステリシス
- HSピンは最大-10Vの連続に耐える
- 外部VREFピン（2.7V〜5.5V）によってロジック・スレッショルド・レベルが設定されるトライレベルPWM入力
- 1つの抵抗で35nsから350nsまで調整可能なプログラム可能なデッドタイムにより、貫通電流を防止
説明
RRP68145は、100V、3Aソース、4Aシンクの高周波ハーフブリッジMOSFETドライバです。 RRP68145は、プログラム可能なデッドタイムとトライステートPWM入力を備えています。 6V〜18Vの広い動作電圧範囲で、100Vハーフブリッジアプリケーション向けにハイサイドNMOSおよびハイサイドNMOSの駆動をサポートする内蔵のブートストラップダイオードと、ローサイドNMOSを搭載しています。
RRP68145は、30nsの非常に高速な伝搬遅延の強力な3Aソース、4Aシンクのドライバを備えており、高周波スイッチングアプリケーションに最適です。 VDDとブートUVLOは、低電圧動作に対して保護します。
パルス幅変調(PWM)ピンのトライレベル入力は、ハイサイドおよびローサイドドライバを1つのピンで制御します。 PWM入力がロジックローの場合、ローサイドFETはオンになり、ハイサイドFETはオフになります。 入力電圧が中間レベル状態になると、ハイサイドとローサイドの両方のFETがオフになります。PWMスレッショルドレベルは、REF入力電圧範囲(VREF)ピンの外部入力リファレンス電圧に比例し、2.7V〜5.5Vのロジック範囲でPWM動作が可能です。
RRP68145は、16 Ld、3mm x 3mmのQFNパッケージで提供されます。
パラメータ
| 属性 | 値 |
|---|---|
| Bootstrap Supply Voltage (Max) (V) | 115 |
| VBIAS (Max) (V) | 18 |
| Peak Pull-up Current (A) | 3 |
| Peak Pull-down Current (A) | 4 |
| Turn-On Prop Delay (ns) | 70 |
| Turn-Off Prop Delay (ns) | 30 |
| Rise Time (μs) | 20 |
| Fall Time | 20ns |
| Input Logic Level | 5V |
| Qualification Level | Standard |
パッケージオプション
| Pkg. Type | Pkg. Dimensions (mm) | Lead Count (#) | Pitch (mm) |
|---|---|---|---|
| FCQFN | 3.0 x 3.0 x 0.75 | 16 | 0.6 |
アプリケーション
- データセンターのハーフブリッジおよびフルブリッジDC/DCコンバータ
- ハイブリッドスイッチドキャパシタコンバータ
- Hブリッジモータードライバー
- 2 スイッチフォワードおよびアクティブ・クランプコンバータ
- 多相 PWM DC/DC コントローラ
- D クラス アンプ
Renesas Boards & Kits
RRP68145 100V, 3A Source, 4A Sink, High-Frequency Half-Bridge Evaluation Board
The RTKP68145DE0000BU evaluation board provides a quick and comprehensive solution for evaluating the RRP68145 100V 3A source, 4A sink high-frequency half-bridge driver. Designed for driving the gates of two N-channel MOSFETs in a half-bridge configuration, the board includes dual-footprint... 続きを読む
