パッケージ情報
| Pkg. Type | TSOP(48) |
| Pkg. Code | pkg_11788 |
| Lead Count (#) | 48 |
| Pkg. Dimensions (mm) | 18.4 x 12 x 1.2 |
環境及び輸出分類情報
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 3 |
| HTS (US) | 85423245000 |
| RoHS (RMLV1616AGSA-5U2#KA0) | 英語日本語 |
| Pb (Lead) Free | Yes |
| ECCN (US) |
製品スペック
| Longevity | 1999 1月 |
| Pkg. Type | TSOP(48) |
| Carrier Type | Embossed Tape |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 3 |
| Country of Assembly | Taiwan |
| Country of Wafer Fabrication | Japan |
| Access Time (ns) | 55 |
| Density (Kb) | 16000 |
| Lead Compliant | Yes |
| Lead Count (#) | 48 |
| Length (mm) | 18 |
| MOQ | 1000 |
| Memory Capacity (kbit) | 16000 |
| Memory Density | 16M |
| Organization | 1M x 16 |
| Organization (bit) | x 8 / x 16 |
| Organization (kword) | 2000 |
| Pb (Lead) Free | Yes |
| Pkg. Dimensions (mm) | 18 x 12 x 1.2 |
| Remarks | Dual Chip Select (CS1#, CS2) |
| Supply Voltage (V) | 2.7 - 3.6 |
| Tape & Reel | No |
| Temp. Range | -40 to +85°C |
| Thickness (mm) | 1.2 |
| Width (mm) | 12 |
説明
RMLV1616A-U シリーズは、1,048,576 ワード × 16 ビット構成の非同期16Mbit 低消費電力SRAM です。
ルネサス独自のAdvanced LPSRAM 技術を採用し、一般的なECC 搭載SRAM に比べ、優れたソフトエラー耐量を有しております。したがって、RMLV1616A-U シリーズは、バッテリバックアップシステムに最適です。
また、RMLV1616A-U シリーズは、48 ピンの薄型パッケージ（ TSOP / 12mm × 20mm [ピンピッチ0.50mm] ）、48 ボールファインピッチBGA（FBGA 0.75mm ボールピッチ）に収納されており、高密度実装に最適です。