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ルネサス エレクトロニクス株式会社 (Renesas Electronics Corporation) - 6月はプライド月間として、LGBTQ+の権利や文化、コミュニティについて啓発する世界的な活動月間です

特長

  • 3V 単一電源:2.7V ~ 3.6V
  • アクセス時間:45ns (max.)
  • 消費電流
    -スタンバイ時:0.3µA (typ.)
  • アクセスとサイクル時間が同じです。
  • データ入力と出力が共通端子です。
    -スリーステート出力
  • すべての入出力が、TTLコンパチブルです。
  • バッテリバックアップ動作が可能です。

説明

RMLV0416Eシリーズは、262,144ワード × 16ビット構成の4MビットスタティックRAMです。Advanced LPSRAM技術を採用し、高密度、高性能、低消費電力を実現しております。したがってRMLV0416Eシリーズは、バッテリバックアップシステムに最適です。

パッケージの種類は、高密度実装可能な44ピンTSOP(II)、48ボールファインピッチBGA(FBGA 0.75mmボールピッチ)が用意されています。

パラメータ

属性
Memory Density4
Organization256K x 16
Access Time (ns)45
Supply Voltage (V)2.7 - 3.6
Temp. Range (°C)-40 to +85

パッケージオプション

Pkg. TypePkg. Dimensions (mm)Lead Count (#)Pitch (mm)
FBGA(48)8 x 8 x 1.248
TSOP(44)18 x 10 x 1.2440.8
型名状態サンプル在庫RoHSパッケージ参考価格(米ドル)Carrier TypeMoisture Sensitivity Level (MSL)Country of AssemblyCountry of Wafer Fabrication
RMLV0416EGBG-4S2#AC0ActiveAvailable在庫切れ問合せTFBGA1ku | $6.32Tray3CHINA, JAPAN, TAIWANJAPAN
RMLV0416EGBG-4S2#KC0ActiveN/A在庫切れ問合せTFBGA1ku | $6.32Embossed Tape3CHINA, JAPAN, TAIWANJAPAN
RMLV0416EGSB-4S2#AA1ActiveAvailable在庫あり問合せTSOP(2)1ku | $6.32Tray3MALAYSIA, TAIWANJAPAN
RMLV0416EGSB-4S2#HA1ActiveN/A在庫あり問合せTSOP(2)1ku | $6.32Embossed Tape3MALAYSIA, TAIWANJAPAN
RMLV0416EGSB-4S2#AA0ObsoleteN/A在庫切れRoHS:EN
RoHS:JA
TSOP(2)Tray3
RMLV0416EGSB-4S2#HA0ObsoleteN/A在庫ありRoHS:EN
RoHS:JA
TSOP(2)Embossed Tape3