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特長

  • 3V 単一電源:2.7V ~ 3.6V
  • アクセス時間:45ns (max.)
  • 消費電流
    -スタンバイ時:0.3µA (typ.)
  • アクセスとサイクル時間が同じです。
  • データ入力と出力が共通端子です。
    -スリーステート出力
  • すべての入出力が、TTLコンパチブルです。
  • バッテリバックアップ動作が可能です。

説明

RMLV0416Eシリーズは、262,144ワード × 16ビット構成の4MビットスタティックRAMです。Advanced LPSRAM技術を採用し、高密度、高性能、低消費電力を実現しております。したがってRMLV0416Eシリーズは、バッテリバックアップシステムに最適です。

パッケージの種類は、高密度実装可能な44ピンTSOP(II)、48ボールファインピッチBGA(FBGA 0.75mmボールピッチ)が用意されています。

パラメータ

属性
Memory Density 4M
Organization 256K x 16
Access Time (ns) 45
Supply Voltage (V) 2.7 - 3.6
Temp. Range (°C) -40 to +85

パッケージオプション

Pkg. Type Pkg. Dimensions (mm) Lead Count (#)
FBGA(48) 8 x 8 x 1.2 48
TSOP(44) 18 x 10 x 1.2 44

適用されたフィルター