ルネサス エレクトロニクス株式会社 (Renesas Electronics Corporation)
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RMLV0416E

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4Mbit 低消費電力SRAM (256-kword × 16-bit)

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概要

RMLV0416Eシリーズは、262,144ワード × 16ビット構成の4MビットスタティックRAMです。Advanced LPSRAM技術を採用し、高密度、高性能、低消費電力を実現しております。したがってRMLV0416Eシリーズは、バッテリバックアップシステムに最適です。

パッケージの種類は、高密度実装可能な44ピンTSOP(II)、48ボールファインピッチBGA（FBGA 0.75mmボールピッチ）が用意されています。

RMLV0416E Block Diagram
RMLV0416E Block Diagram
  • 3V 単一電源：2.7V ～ 3.6V
  • アクセス時間：45ns (max.)
  • 消費電流
    -スタンバイ時：0.3µA (typ.)
  • アクセスとサイクル時間が同じです。
  • データ入力と出力が共通端子です。
    -スリーステート出力
  • すべての入出力が、TTLコンパチブルです。
  • バッテリバックアップ動作が可能です。

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SamacSysの回路図シンボル、PCBフットプリント、および3D CADモデルは、製品オプションテーブルのCADモデルリンクをクリックすることで参照できます。シンボルまたはモデルが対応していない場合は、SamacSysに直接リクエスト可能です。

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    2023年2月10日