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ルネサス エレクトロニクス株式会社 (Renesas Electronics Corporation)
4Mbit 低消費電力SRAM (256-kword × 16-bit)

パッケージ情報

CADモデル:View CAD Model
Pkg. Type:TSOP(44)
Pkg. Code:pkg_11787
Lead Count (#):44
Pkg. Dimensions (mm):18 x 10 x 1.2
Pitch (mm):0.8

環境及び輸出分類情報

Moisture Sensitivity Level (MSL)3
RoHS (RMLV0416EGSB-4S2#HA1)英語日本語
Pb (Lead) FreeYes
ECCN (US)
HTS (US)

製品スペック

Carrier TypeEmbossed Tape
Moisture Sensitivity Level (MSL)3
Country of AssemblyMALAYSIA, TAIWAN
Country of Wafer FabricationJAPAN
Access Time (ns)45
Density (Kb)4000
Lead CompliantYes
Lead Count (#)44
Length (mm)18
Longevity2032 12月
MOQ1000
Memory Capacity (kbit)4000
Memory Density4
Organization256K x 16
Organization (bit)x 16
Organization (kword)256
Pb (Lead) FreeYes
Pkg. Dimensions (mm)18 x 10 x 1.2
Pkg. TypeTSOP(44)
Price (USD)$3.77786
RemarksDual Chip Select (CS1#, CS2)
Replacement RemarkBack-end site change etc
Supply Voltage (V)2.7 - 3.6
Tape & ReelNo
Temp. Range (°C)-40 to +85
Thickness (mm)1.2
Width (mm)10

説明

RMLV0416Eシリーズは、262,144ワード × 16ビット構成の4MビットスタティックRAMです。Advanced LPSRAM技術を採用し、高密度、高性能、低消費電力を実現しております。したがってRMLV0416Eシリーズは、バッテリバックアップシステムに最適です。

パッケージの種類は、高密度実装可能な44ピンTSOP(II)、48ボールファインピッチBGA(FBGA 0.75mmボールピッチ)が用意されています。