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ルネサス エレクトロニクス株式会社 (Renesas Electronics Corporation)
Nch Thermal FET 40V 10A 37mohm SOP-8 / SOIC-8

パッケージ情報

CADモデル:View CAD Model
Pkg. Type:SOP
Pkg. Code:pkg_6746
Lead Count (#):8
Pkg. Dimensions (mm):5 x 4 x 1.75
Pitch (mm):1.27

環境及び輸出分類情報

Moisture Sensitivity Level (MSL)1
Pb (Lead) FreeYes
ECCN (US)EAR99
HTS (US)8542.39.0090
RoHS (RJF0412JSP-00#J0)英語日本語

製品スペック

Lead Count (#)8
Carrier TypeEmbossed Tape
Moisture Sensitivity Level (MSL)1
Pb (Lead) FreeYes
Country of AssemblyMALAYSIA
Country of Wafer FabricationJAPAN
ApplicationIndustrial, Automotive Use
Automotive Qual.Yes
Channels (#)1
FunctionThermal FETs
Gate LevelLogic
ID (A)10
Id max @ 25°C (A)10
Lead CompliantYes
Length (mm)5
MOQ2500
Mounting TypeSurface Mount
Nch/PchNch
Pch (W)2.5
Pkg. Dimensions (mm)5 x 4 x 1.75
Pkg. TypeSOP
Price (USD)$1.20564
Qualification LevelAutomotive
RDS (ON) (Max) @10V (mohm)37
RDS (ON) (Typical) @ 10V / 8V (mohm)23
RDS (on) (Max) @8V to 10V (mohm)37
RDS (on) (ohm) typ. @8V to 10V (mohm)23
Series NameThermal FETs
Simulation Model AvailableYes
Standard Pkg. TypeSOP-8 / SOIC-8
Tape & ReelNo
Thickness (mm)1.75
Tsd (Typ) (°C)175
VDSS (Max) (V)40
Width (mm)4

説明

ゲートの印加電圧によりドレイン・ソース間のON-OFF 制御ができるパワースイッチ用MOS FETです。構造はパワーMOS FET のゲート部に過熱遮断回路を内蔵したものであり,異常な周囲温度上昇,過電力,過電流による発熱に対してゲート遮断動作によりパワーMOS FET を保護する働きを持っています。