特長
- VDSS = 80V
- 標準駆動電圧対応：VGS(th) = 2.0V ~ 4.0V
- 超低オン抵抗：RDS(on) = 1.3mΩ以下
- ID = 340A
- 低入力容量
- 鉛フリー鉛めっき:RoHS対応
- IPC/JEDEC J-STD-020によるモイスチャーレベル1
RBE013N08R1SZPW Outline
説明
RBE013N08R1SZPW NチャネルパワーMOSFETは、REXFET-1スプリットゲート技術を採用し、TOLTパッケージで提供されます。 TOLTパッケージは、熱性能、信頼性、および組み立ての容易さのために、上面冷却を備えています。
Renesasのスプリットゲートテクノロジーは、低RDS(on)とスイッチング能力を備え、高出力・高周波アプリケーションに最適です。
パラメータ
| 属性 | 値 |
|---|---|
| Qualification Level | Industrial |
| Nch/Pch | Nch |
| Channels (#) | 1 |
| Standard Pkg. Type | TOLT |
| Gate Level | Standard |
| VDSS (Max) (V) | 80 |
| ID (A) | 340 |
| RDS (ON) (Max) @10V (mohm) | 1.3 |
| Pch (W) | 468 |
| Ciss (Typical) (pF) | 14000 |
| Qg typ (nC) | 185 |
| Series Name | REXFET-1 |
パッケージオプション
| Pkg. Type | Pkg. Dimensions (mm) | Lead Count (#) |
|---|---|---|
| TOLT | 9.90 x 15.00 x 2.30 | 16 |
製品比較
| RBE013N08R1SZPW | RBA013N08R1SBPW | RBE011N08R1SZPW | |
| VDSS (Max) (V) | 80 | 80 | 80 |
| RDS (ON) (Max) @10V (mohm) | 1.3 | 1.3 | 1.06 |
| ID (A) | 340 | 340 | 360 |
| Standard Pkg. Type | TOLT | TOLT | TOLT |
| Qualification Level | Industrial | Automotive | Industrial |
アプリケーション
- モータ制御
- DC/DC電源変換
- 産業オートメーション
- データセンター
- エネルギーインフラ
- 電動工具
- ロボティクス
| 型名 | 状態 | サンプル | 在庫 | RoHS | パッケージ | 参考価格（米ドル） | Lead Count (#) | Carrier Type | Moisture Sensitivity Level (MSL) | Pb (Lead) Free |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| RBE013N08R1SZPW#KB0 | Active | Available | 在庫切れ | RoHS:EN RoHS:JA | TOLT | 1ku | $1.679 | 16# | Embossed Tape | 1 | Yes |
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- アプリケーションノート英語PDF 936 KB R07AN0050EJ0100 Rev.1.00 2025年12月03日Measurement frequency and the influence of parasitic inductance are crucial in capacitance measurements for Power MOSFETs. Split-gate structures, with their low Crss and higher Ciss, face challenges from parasitic inductance, making high-frequency measurements difficult. In contrast, standard-gate trench structures allow relatively accurate results. The influence of parasitic inductance in actual measurements is examined from various perspectives.
- ガイド英語PDF 988 KB R07ZZ0016EJ0100 Rev.1.00 2025年12月03日The diagrams in this document show the recommended mounting pad layout dimensions for Renesas Power MOSFETs. In actual PCB design, optimization should consider mounting density, mountability, dimensional tolerances, and other relevant factors.
- ホワイトペーパー英語PDF 4.45 MB R16WP0011EU0100 Rev.1.00 2025年11月04日High-power, high-efficiency systems such as electric motor drives and battery management systems continue to see rapid adoption and increasing power demands. To address these requirements, lower on-resistance and improved switching performance are needed. This paper presents an advanced split-gate trench process and next-generation MOSFETs with a 30% reduction in specific on-resistance to meet these needs.
- データシート英語RBE013N08R1SZPW DatasheetRECOMMENDEDPDF 491 KB R07DS1650EJ0100 Rev.1.00 2025年10月15日The RBE013N08R1SZPW N-channel power MOSFET features REXFET-1 split-gate technology and is offered in a TOLT package. The TOLT package features top-side cooling for ultra-compact and optimal thermal performance. Renesas' REXFET-1 split gate technology is suitable for applications requiring low RDS(on) and switching capability for high-power and high-frequency applications.
- アプリケーションノート英語PDF 722 KB R07AN0040EJ0100 Rev.1.00 2024年11月13日AI生成コンテンツ: 48V automotive electrical systems enhance power capacity and efficiency by reducing current and cable size, enabling lighter and more compact vehicle designs. Renesas develops the REXFET-1 series MOSFETs with advanced wafer and package technologies, achieving ultra-low ON-resistance and high reliability for middle-voltage applications. The TOLL and TOLG packages optimize thermal performance, EMI behavior, and space, supporting up to 300A current. These MOSFETs meet automotive standards, improve switching efficiency, and reduce heat dissipation, facilitating the demands of electric and hybrid vehicles' powertrains and auxiliary systems.
- アプリケーションノート日本語AI生成コンテンツ: パワーMOSFETの並列接続では、素子間の電流バランスを確保することが重要である。導通時にはRDS(on)や配線抵抗の差が電流アンバランスを引き起こし、スイッチング時にはVGS(th)の差や寄生インダクタンスが影響する。同一ロットの素子を使用し、対称的な基板レイアウトを設計することで問題を軽減できる。アバランシェ動作は素子破壊の原因となるため避けるべきである。並列接続では寄生発振が起こりやすく、ゲート抵抗の追加で抑制可能である。適切な設計と素子選定が信頼性向上に寄与する。
- データシート英語RBE013N08R1SZPW DatasheetRECOMMENDEDPDF 491 KB R07DS1650EJ0100 Rev.1.00 2025年10月15日The RBE013N08R1SZPW N-channel power MOSFET features REXFET-1 split-gate technology and is offered in a TOLT package. The TOLT package features top-side cooling for ultra-compact and optimal thermal performance. Renesas' REXFET-1 split gate technology is suitable for applications requiring low RDS(on) and switching capability for high-power and high-frequency applications.
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推奨ドキュメント (2)
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データシート (1)
- ガイド英語PDF 988 KB R07ZZ0016EJ0100 Rev.1.00 2025年12月03日The diagrams in this document show the recommended mounting pad layout dimensions for Renesas Power MOSFETs. In actual PCB design, optimization should consider mounting density, mountability, dimensional tolerances, and other relevant factors.
マニュアル、ガイド (2)
- アプリケーションノート英語PDF 599 KB R07AN0052EJ0100 Rev.1.00 2026年5月27日REXFET PLECS models enable accurate simulation of power MOSFET behavior, including electrical and thermal characteristics. The model integrates channel and body diode behavior, supports configurable simulation parameters, and provides probe functions for switching, conduction, and temperature analysis. This application note outlines installation, library integration, model configuration, and usage considerations to optimize simulation results.関連ファイル：
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- アプリケーションノート英語PDF 936 KB R07AN0050EJ0100 Rev.1.00 2025年12月03日Measurement frequency and the influence of parasitic inductance are crucial in capacitance measurements for Power MOSFETs. Split-gate structures, with their low Crss and higher Ciss, face challenges from parasitic inductance, making high-frequency measurements difficult. In contrast, standard-gate trench structures allow relatively accurate results. The influence of parasitic inductance in actual measurements is examined from various perspectives.
- ホワイトペーパー英語PDF 4.45 MB R16WP0011EU0100 Rev.1.00 2025年11月04日High-power, high-efficiency systems such as electric motor drives and battery management systems continue to see rapid adoption and increasing power demands. To address these requirements, lower on-resistance and improved switching performance are needed. This paper presents an advanced split-gate trench process and next-generation MOSFETs with a 30% reduction in specific on-resistance to meet these needs.
アプリケーションノート、ホワイトペーパー (9)
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