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ルネサス エレクトロニクス株式会社 (Renesas Electronics Corporation)

特長

  • VDSS = 80V
  • 標準駆動電圧対応:VGS(th) = 2.0V〜4.0V
  • 超低オン抵抗:RDS(on) = 1.3mΩ max.
  • ID(DC) = 340A
  • 低入力容量
  • 低熱抵抗
  • 100%アバランシェテスト
  • 鉛フリー端子めっき:RoHS適合
  • MSL1(IPC/JEDEC J-STD-020)

説明

RBE013N08R1SZPW NチャネルパワーMOSFETは、REXFET-1スプリットゲート技術を適用したTOLTパッケージの製品です。 TOLTパッケージはガルウイングタイプのリードで熱応力に強く、上面冷却構造によってシステムの放熱性向上に貢献します。

ルネサスのREXFET-1スプリットゲート技術は、低RDS(on)と高いスイッチング性能を備え、高出力・高周波アプリケーションに最適です。

パラメータ

属性値
Qualification LevelIndustrial
Nch/PchNch
Channels (#)1
Standard Pkg. TypeTOLT
Gate LevelStandard
VDSS (Max) (V)80
ID (A)340
RDS (ON) (Max) @10V (mohm)1.3
Pch (W)468
Ciss (Typical) (pF)14000
Qg typ (nC)185
Series NameREXFET-1

パッケージオプション

Pkg. TypePkg. Dimensions (mm)Lead Count (#)
TOLT9.90 x 15.00 x 2.3016

製品比較

画像
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RBE013N08R1SZPWRBA013N08R1SBPWRBE011N08R1SZPW
VDSS (Max) (V)808080
RDS (ON) (Max) @10V (mohm)1.31.31.06
ID (A)340340360
Standard Pkg. TypeTOLTTOLTTOLT
Qualification LevelIndustrialAutomotiveIndustrial

アプリケーション

  • モータ制御
  • DC/DC電力変換
  • 産業オートメーション
  • データセンター
  • エネルギーインフラ
  • 電動工具
  • ロボティクス

適用されたフィルター