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特長

  • VDSS = 80V
  • 標準駆動電圧対応:VGS(th) = 2.0V ~ 4.0V
  • 超低オン抵抗:RDS(on) = 1.3mΩ以下
  • ID = 340A
  • 低入力容量
  • 鉛フリー鉛めっき:RoHS対応
  • IPC/JEDEC J-STD-020によるモイスチャーレベル1

説明

RBE013N08R1SZPW NチャネルパワーMOSFETは、REXFET-1スプリットゲート技術を採用し、TOLTパッケージで提供されます。 TOLTパッケージは、熱性能、信頼性、および組み立ての容易さのために、上面冷却を備えています。

Renesasのスプリットゲートテクノロジーは、低RDS(on)とスイッチング能力を備え、高出力・高周波アプリケーションに最適です。

パラメータ

属性
Qualification LevelIndustrial
Nch/PchNch
Channels (#)1
Standard Pkg. TypeTOLT
Gate LevelStandard
VDSS (Max) (V)80
ID (A)340
RDS (ON) (Max) @10V (mohm)1.3
Pch (W)468
Ciss (Typical) (pF)14000
Qg typ (nC)185
Series NameREXFET-1

パッケージオプション

Pkg. TypePkg. Dimensions (mm)Lead Count (#)
TOLT9.90 x 15.00 x 2.3016

製品比較

RBE013N08R1SZPWRBA013N08R1SBPWRBE011N08R1SZPW
VDSS (Max) (V)808080
RDS (ON) (Max) @10V (mohm)1.31.31.06
ID (A)340340360
Standard Pkg. TypeTOLTTOLTTOLT
Qualification LevelIndustrialAutomotiveIndustrial

アプリケーション

  • モータ制御
  • DC/DC電源変換
  • 産業オートメーション
  • データセンター
  • エネルギーインフラ
  • 電動工具
  • ロボティクス

適用されたフィルター