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特長

  • VDSS = 80V
  • 標準駆動電圧対応:VGS(th) = 2.0V ~ 4.0V
  • 超低オン抵抗:RDS(on) = 1.3mΩ以下
  • ID = 340A
  • 低入力容量
  • 鉛フリー鉛めっき:RoHS対応
  • IPC/JEDEC J-STD-020によるモイスチャーレベル1

説明

RBE013N08R1SZPW NチャネルパワーMOSFETは、REXFET-1スプリットゲート技術を採用し、TOLTパッケージで提供されます。 TOLTパッケージは、熱性能、信頼性、および組み立ての容易さのために、上面冷却を備えています。

Renesasのスプリットゲートテクノロジーは、低RDS(on)とスイッチング能力を備え、高出力・高周波アプリケーションに最適です。

パラメータ

属性
Qualification Level Industrial
Nch/Pch Nch
Channels (#) 1
Standard Pkg. Type TOLT
VDSS (Max) (V) 80
ID (A) 340
RDS (ON) (Max) @10V or 8V (mohm) 1.3
Pch (W) 468
Ciss (Typical) (pF) 14000
Qg typ (nC) 185
Series Name REXFET-1

パッケージオプション

Pkg. Type Pkg. Dimensions (mm) Lead Count (#)
TOLT 10 x 15 x 2 16

製品比較

RBE013N08R1SZPW RBA013N08R1SBPW RBE011N08R1SZPW
VDSS (Max) (V) 80 80 80
RDS (ON) (Max) @10V or 8V (mohm) 1.3 1.3 1.06
ID (A) 340 340 360
Standard Pkg. Type TOLT TOLT TOLT
Qualification Level Industrial Automotive Industrial

アプリケーション

  • モータ制御
  • DC/DC電源変換
  • 産業オートメーション
  • データセンター
  • エネルギーインフラ
  • 電動工具
  • ロボティクス

適用されたフィルター