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ルネサス エレクトロニクス株式会社 (Renesas Electronics Corporation) - 6月はプライド月間として、LGBTQ+の権利や文化、コミュニティについて啓発する世界的な活動月間です
80V, 50A, 9.3mΩ, μSO8-FL, REXFET-1 NチャネルパワーMOSFET 車載用

パッケージ情報

CADモデル:View CAD Model
Pkg. Type:uSO8-FL
Pkg. Code:
Lead Count (#):8
Pkg. Dimensions (mm):3.3 x 3.5 x 0.85
Pitch (mm):

環境及び輸出分類情報

Moisture Sensitivity Level (MSL)1
Pb (Lead) FreeYes
ECCN (US)
HTS (US)8541.29.0095
RoHS (RBA50N08EANS-5UA09#HB0)英語日本語

製品スペック

Pkg. TypeuSO8-FL
Lead Count (#)8
Carrier TypeEmbossed Tape
Moisture Sensitivity Level (MSL)1
Pb (Lead) FreeYes
Channels (#)1
Ciss (Typical) (pF)1800
Country of AssemblyCHINA
Country of Wafer FabricationJAPAN
FunctionPower MOSFETs
Gate LevelStandard
ID (A)50
Id max @ 25°C (A)50
Lead CompliantNo
Length (mm)3.3
MOQ3000
Mounting TypeSurface Mount
Nch/PchNch
Pch (W)57
Pkg. Dimensions (mm)3.3 x 3.5 x 0.85
Qg typ (nC)31
Qualification LevelAutomotive
RDS (ON) (Max) @10V (mohm)9.3
RDS (ON) (Typical) @ 10V / 8V (mohm)7.9
Series NameREXFET-1
Simulation Model AvailableYes
Standard Pkg. TypeμSO8-FL 3x3 BSC
Tape & ReelNo
Thickness (mm)0.85
VDSS (Max) (V)80
VGSS (V)20
Vgs (off) (Max) (V)4
Width (mm)3.5

説明

RBA50N08EANS-5UA09 NチャネルパワーMOSFETは、REXFET-1スプリットゲート技術を採用し、3x3 μSO8-FLパッケージで提供されます。 μSO8-FLパッケージは、超小型でリードレス設計を特徴とし、ウェッタブルフランクにより、熱性能の向上、信頼性の向上、組み立ての容易さを実現しています。

Renesasのスプリットゲートテクノロジーは、低RDS(on)とスイッチング能力を備え、高出力・高周波アプリケーションに最適です。