パッケージ情報
| CADモデル: | View CAD Model |
| Pkg. Type: | Bare |
| Pkg. Code: | |
| Lead Count (#): | |
| Pkg. Dimensions (mm): | |
| Pitch (mm): |
環境及び輸出分類情報
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | |
| ECCN (US) | EAR99 |
| HTS (US) | 8541.29.0040 |
| RoHS (RBA500N10EHWT-2UA01#GFH) | 英語日本語 |
| Pb (Lead) Free | Yes |
製品スペック
| Pkg. Type | Bare |
| Standard Pkg. Type | Bare die |
| Carrier Type | Embossed Tape |
| Automotive Qual. | _none |
| Channels (#) | 1 |
| Ciss (Typical) (pF) | 34000 |
| Country of Assembly | JAPAN |
| Country of Wafer Fabrication | JAPAN |
| Function | Power MOSFETs |
| Gate Level | Standard |
| ID (A) | 500 |
| Id max @ 25°C (A) | 500 |
| Lead Compliant | Yes |
| MOQ | 1 |
| Nch/Pch | Nch |
| Pb (Lead) Free | Yes |
| Qg typ (nC) | 450 |
| Qualification Level | Automotive |
| RDS (ON) (Typical) @ 10V / 8V (mohm) | 0.54 |
| Series Name | REXFET-1 |
| Simulation Model Available | Yes |
| Tape & Reel | Yes |
| Thickness (mm) | 1 |
| VDSS (Max) (V) | 100 |
| VGSS (V) | 20 |
| Vgs (off) (Max) (V) | 4 |
RBA500N10EHWT-2UA01 に関するリソース
説明
スプリットゲート構造を持つREXFET-1 100V製品は、超低オン抵抗を特長としています。加えて、入力容量、及びゲート電荷を低減し、より効率的なスイッチングを可能にします。この技術により、高速スイッチングと低電力損失を実現できるため、電力効率が向上します。さらに、耐久性と信頼性を向上させ、パワーマネジメントシステム、モータドライブ、DC-DCコンバータなどの車載アプリケーションに適しています。
