特長
- Super low on-state resistance
- RDS(on) = 1.25 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 80A)
- Low input capacitance
- Ciss = 8800pF TYP. (VDS = 25 V)
- Designed for automotive application and AEC-Q101 qualified
- Pb-free (This product does not contain Pb in the external electrode)
説明
The RBA160N04AHPF-4UA01 is an N-channel Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (MOSFET) designed for high current switching applications.
パラメータ
| 属性 | 値 |
|---|---|
| Qualification Level | Automotive |
| Nch/Pch | Nch |
| Channels (#) | 1 |
| Standard Pkg. Type | TO-263-7 / D2PAK-7 |
| VDSS (Max) (V) | 40 |
| ID (A) | 160 |
| RDS (ON) (Max) @10V or 8V (mohm) | 1.25 |
| RDS (ON) (Typical) @ 10V / 8V (mohm) | 1.05 |
| Pch (W) | 250 |
| Vgs (off) (Max) (V) | 4 |
| VGSS (V) | 20 |
| Ciss (Typical) (pF) | 8800 |
| Qg typ (nC) | 157 |
| Mounting Type | Surface Mount |
パッケージオプション
| Pkg. Type | Pkg. Dimensions (mm) | Lead Count (#) |
|---|---|---|
| MP-25ZU | 10 x 9 x 4.65 | 7 |
アプリケーション・ブロック図
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電動パワーステアリングシステム
ルネサスは、電動パワーステアリングシステム向けのPMICやMCUなどのASIL-D認証製品を提供しています。
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