特長
- マイクロアイソレータ搭載 (絶縁回路)
- 高電圧絶縁: 2500VRMS
- 高同相電圧除去比(CMR): 35kV/us 以上
- 高出力ゲートドライバ回路
- ゲートドライバ出力抵抗: 1.0 Ohm max (IGBT 並列接続可能)
- アクティブミラークランプ機能搭載
- ソフトターン-オフ機能搭載
- 各種保護回路搭載
- IGBT エミッタ電流検出： 2 ch
- 過電流検出 (Vth : 0.25 V typ.)、ショート検出(Vth : 0.5 V typ.)
- 過電流検出 Enable/Disable 機能（SEL端子による）
- IGBT温度検出： 2 ch
- 低電圧誤動作防止機能
- VCC1 (5 V 一次側): Vth 4.1 V typ.
- VCC2 (15 V 二次側): Vth 10 V typ.
- 過熱保護回路 (200 ℃)
- FAULT出力（外部コンデンサによりFAULT保持時間調整可)
- 動作周囲温度: - 40 to 125 ℃ (ジャンクション温度: 150 ℃ max)
R2A25110KSP Block Diagram
説明
R2A25110KSP は、電動車用トラクションモータ等の高電圧アプリケーションに用いられる、IGBT ゲートドライバ用ICです。コアレストランス構造のマイクロアイソレータを用いることで一次側(MCU側)と二次側(IGBT側)間の高絶縁データ伝送を実現しています。
IGBT ゲート駆動回路、ミラークランプ回路、ソフトターンオフ回路に加え、IGBT温度検出など各種保護回路などを内蔵しています。IGBTの並列駆動にも対応しています。
アプリケーション
- Main inverters for EV/HEV in automotive applications
- Converters for EV/HEV in automotive applications
- Inverters and converters for industrial instruments
Renesas Boards & Kits
PR-INV06500780-FB
アクティブ
xEVインバータキット
xEVインバータキットは、マイクロコントローラ、パワーマネジメントIC、ゲートドライバIC、IGBT（絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ）、およびFRD（高速リカバリダイオード）を組み合わせた実用的なインバータハードウェア設計により、HEV/EVモータの性能を最大限に引き出します。 さらに、xEVインバータ アプリケーションモデル&ソフトウェアも提供しています。
本ページのドキュメントおよびソフトウェアは、以下の条件を満たす方のみリクエスト可能であり、NDA締結および有償契約後にダウンロードできます。
- My Renesasアカウントでのログインが必要です。...
