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0.6 A 出力, 高 CMR, IGBT, MOS FET ゲート駆動用 8 ピン DIP フォトカプラ

パッケージ情報

CADモデル:View CAD Model
Pkg. Type:
Pkg. Code:
Lead Count (#):
Pkg. Dimensions (mm):
Pitch (mm):

環境及び輸出分類情報

Moisture Sensitivity Level (MSL)1
Pb (Lead) FreeYes
ECCN (US)EAR99
HTS (US)8541.49.8000
RoHS (PS9506L3-AX)英語日本語

製品スペック

Moisture Sensitivity Level (MSL)1
Pb (Lead) FreeYes
Country of AssemblyJAPAN
Country of Wafer FabricationJAPAN
Breakdown Voltage (BV) (kV rms)5
CMTI min. (kV/µs)25
Channels (#)1
Creepage Distance (mm)7
DC IFLH max. (mA)7
IFLH (Max) (mA)7
IOL/IOH (Peak) (A)0.6
Isolation Voltage (Vrms)5000
Lead CompliantYes
Longevity2031 12月
MOQ50
Peak Output Current IPK (A)0.6
Price (USD)$1.83787
SW PDD max. (ns)300
SW PWD max. (ns)250
SW tPLH, tPHL max. (ns)400
Safety Standard CSA (CAN/CSA C22.2 62368-1)Approved
Safety Standard UL (UL1577)Approved
Supply Voltage (V)10 - 30
Tape & ReelNo
Target applicationsIGBT, Power MOSFET Gate Driver, Industrial inverter, IH(Induction Heating), AC Servo, PDP, Uninterruptible Power Supply (UPS), Solar inverter
VCC-VEE (Max) (V)35
tPHL (Max) (μs)0.4
tPLH (Max) (μs)0.4

説明

PS9506, PS9506L1, PS9506L2, PS9506L3 は,入力側に GaAlAs 発光ダイオードを使用し,出力側にフォトダイオード,信号処理回路,高速大電流回路を同一チップ上に構成した受光 IC を用いた高速フォトカプラです。
高耐ノイズ(高 CMR),高速スイッチングを実現し,IGBT およびパワーMOS FET のゲート駆動用に最適です。
PS9506L1 は,PS9506 の長沿面実装用リード・フォーミング品です。
PS9506L2 は,PS9506 の長沿面表面実装用リード・フォーミング品です。
PS9506L3 は,PS9506 の表面実装用リード・フォーミング品です。